TW淡江大學(xué)機(jī)械與電機(jī)工程系日前開(kāi)發(fā)成功出尺寸為50μm×50μm的小型壓力傳感器芯片。通過(guò)對(duì)壓力傳感器部分的薄膜形成手法進(jìn)行改進(jìn),實(shí)現(xiàn)了小型化。同時(shí)還使用明膠對(duì)傳感器部分進(jìn)行了封裝。這種壓力傳感器可用于生物相關(guān)領(lǐng)域。據(jù)介紹,此次開(kāi)發(fā)的工藝在傳感器部分的薄膜中使用了SiO2(二氧化硅)層,在生產(chǎn)過(guò)程中支撐薄膜的犧牲層中使用了金屬層,在檢測(cè)壓力的傳感器壓電電阻中使用了多晶硅。全部均可采用臺(tái)積電雙層多晶硅四層金屬的CMOS
TW淡江大學(xué)機(jī)械與電機(jī)工程系日前開(kāi)發(fā)成功出尺寸為50μm×50μm的小型
壓力傳感器芯片。通過(guò)對(duì)壓力傳感器部分的薄膜形成手法進(jìn)行改進(jìn),實(shí)現(xiàn)了小型化。同時(shí)還使用明膠對(duì)傳感器部分進(jìn)行了封裝。這種壓力傳感器可用于生物相關(guān)領(lǐng)域。
據(jù)介紹,此次開(kāi)發(fā)的工藝在傳感器部分的薄膜中使用了SiO2(二氧化硅)層,在生產(chǎn)過(guò)程中支撐薄膜的犧牲層中使用了金屬層,在檢測(cè)壓力的傳感器壓電
電阻中使用了多晶硅。全部均可采用臺(tái)積電雙層多晶硅四層金屬的
CMOS工藝形成。在SiO2層的一部分中切出孔,并形成過(guò)孔,然后就能利用后續(xù)的蝕刻工藝去除犧牲層和過(guò)孔金屬。犧牲層去除后,位于犧牲層下方的硅底板也需進(jìn)行蝕刻處理,以使壓電電阻部分能除壓力而變化。金屬和硅底板的蝕刻采用的是普通蝕刻材料。
封閉帶孔薄膜的工藝使用的是不同于CMOS的其他工藝。具體來(lái)說(shuō),就是從切孔中填入蛋白質(zhì)明膠,將薄膜的下部空間填充上。只需利用旋涂法涂布液態(tài)明膠即可。通過(guò)填充明膠,能夠排除外部環(huán)境的干擾。壓力靈敏度為8.56±0.13mv/V/
psi,高于過(guò)去的壓電電阻型壓力傳感器。
