無(wú)源元件集成技術(shù)取得新突破
意法半導(dǎo)體（ST）近日公布了一項(xiàng)關(guān)于在薄膜無(wú)源元件集成工藝中大幅度提高結(jié)電容密度的突破性技術(shù)。這項(xiàng)技術(shù)是以一類被稱作“PZTPerovskites”的物質(zhì)為基礎(chǔ),該類物質(zhì)是一種化合物,主要元素是鉛、鋯、鈦及氧,根據(jù)鋯和鈦的比例,該物質(zhì)可發(fā)生多種變化。它的介電常數(shù)高達(dá)900,這個(gè)數(shù)值是二氧化硅的200倍。這項(xiàng)PZT新技術(shù)大幅度擴(kuò)展了ST的IPAD（集成無(wú)源及有源器件技術(shù)）的功能,實(shí)現(xiàn)集成電容密度高于30nF/mm2,比現(xiàn)有的采用硅或鉭的氧化物或氮化物的競(jìng)爭(zhēng)技術(shù)提高電容密度50倍。采用該項(xiàng)新技術(shù)的器件適合采用大批量流水線生產(chǎn)。
對(duì)于需要大量的無(wú)源元件而電路板空間又十分有限的應(yīng)用（如手機(jī)等移動(dòng)通信設(shè)備）,無(wú)源元件集成技術(shù)非常重要。在這類集成技術(shù)中,發(fā)現(xiàn)可以集成更高的電容或電阻的新型材料是一個(gè)連續(xù)不斷的挑戰(zhàn)。在電容問題上,因?yàn)殡娙萑Q于表面積和介電常數(shù),而人們總是期望表面積變得更小,所以物質(zhì)的介電常數(shù)則成了最重要的因素。本次公布的PZT新技術(shù)則代表了在集成更高電容器技術(shù)上的一項(xiàng)巨大的突破。
ST已經(jīng)利用這項(xiàng)技術(shù)生產(chǎn)了大量的客戶指定元件,不久將向開放市場(chǎng)推出標(biāo)準(zhǔn)元件。
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