Samsung公司推出新的8GB產(chǎn)品用于服務(wù)器.在十月份推出的8GB注冊(cè)雙列直插存儲(chǔ)器模塊(R-DIMM),Samsung現(xiàn)在增加它的全緩沖雙列直插存儲(chǔ)器模塊(FB-DIMM),包括采用80nm2GbDDR的8GB,用于高速服務(wù)器.這種器件代表了在高檔服務(wù)器存儲(chǔ)器架構(gòu)中重大意義的飛躍.采用Samsung的大容量存儲(chǔ)器將會(huì)增加所安裝的存儲(chǔ)器的容量,并為未來(lái)的升級(jí)保留了插槽.諸如新的8GBFB-DIMM的Samsung存儲(chǔ)器非常適合用在空間限制的刀片和1U服務(wù)器.FB-DIMM架構(gòu)克服了以前
Samsung公司推出新的8GB產(chǎn)品用于服務(wù)器.在十月份推出的8GB注冊(cè)雙列直插存儲(chǔ)器
模塊(R-DIMM),Samsung現(xiàn)在增加它的全緩沖雙列直插存儲(chǔ)器模塊(FB-DIMM),包括采用80nm 2Gb DDR的8GB,用于高速服務(wù)器.這種器件代表了在高檔服務(wù)器存儲(chǔ)器架構(gòu)中重大意義的飛躍.
采用Samsung的大容量存儲(chǔ)器將會(huì)增加所安裝的存儲(chǔ)器的容量,并為未來(lái)的升級(jí)保留了插槽.諸如新的8GB FB-DIMM的Samsung存儲(chǔ)器非常適合用在空間限制的刀片和1U服務(wù)器.
FB-DIMM架構(gòu)克服了以前每通路兩到四個(gè)模塊的容量限制.FB-DIMM系統(tǒng)的DRAM模塊能增加到8個(gè)模塊之多而不會(huì)降低速度.新系統(tǒng)能以和先進(jìn)存儲(chǔ)器緩沖器(AMB)芯片一樣的速度處理增加數(shù)量的數(shù)據(jù),這些AMB在系統(tǒng)中點(diǎn)對(duì)點(diǎn)連接到每個(gè)模塊
.其結(jié)果是,需要大容量DRAM的服務(wù)器市場(chǎng)期望大幅度增加.
采用Samsung的大容量存儲(chǔ)器模塊,設(shè)計(jì)者能采用增加存儲(chǔ)器支持最新的服務(wù)器操作系統(tǒng),以最大化它的性能.此外,Samsung還提供下一代存儲(chǔ)器解決方案如8GB FB-DIMM,使得服務(wù)器能從最終的存儲(chǔ)器容量和帶寬中受益.
Samsung的成套產(chǎn)品
系列包括從DDR到DDR2所有的DRAM存儲(chǔ)器,容量范圍從
512MB到8GB的R-DIMM到FB-DIMM存儲(chǔ)器.