在即將召開的“2006年IEEE國際固體電路會議（ISSCC2006）”上,將會有結(jié)構(gòu)獨特的CMOS傳感器進行發(fā)表。比如,索尼的傳感器采用了和普通方法相反、向沒有布線層的一面照射光線的背面照射技術(shù)（演講序號：16.8）�？蓪㈤_口率（光電轉(zhuǎn)換部分在一個像素中所占的面積比例）提高至近100%。試制的CMOS傳感器像素間隔為3.45μm,在采用背面照射技術(shù)的產(chǎn)品中較小。與不使用背面照射技術(shù)時相比,對于550nm的光線,感光度提高了34%。設(shè)計工藝為0.25
在即將召開的“
2006年IEEE國際固體電路會議（ISSCC 2006）”上,將會有結(jié)構(gòu)獨特的
CMOS傳感器進行發(fā)表。比如,索尼的傳感器采用了和普通方法相反、向沒有布線層的一面照射光線的背面照射技術(shù)（演講序號：16.8）�？蓪㈤_口率（
光電轉(zhuǎn)換部分在一個像素中所占的面積比例）提高至近
100%。
試制的CMOS傳感器像素間隔為3.45μm,在采用背面照射技術(shù)的產(chǎn)品中較小。與不使用背面照射技術(shù)時相比,對于
550nm的光線,感光度提高了34%。設(shè)計工藝為0.25μm,包括1層多晶硅和3層布線層。另一個特點是配置布線的位置自由度較大。
而日本東北大學(xué)和日本德州儀器組成的研究小組使CMOS傳感器的動態(tài)范圍（1幀內(nèi)可拍攝對象的照度范圍）逼近極限（演講序號：16.7）。具體約為10-2lx～108lx,按對數(shù)換算約為200
dB。
CMOS傳感器上沒有設(shè)計調(diào)節(jié)光量的光圈。為了積蓄在強光射入時所產(chǎn)生的電荷,在光電轉(zhuǎn)換部分的旁邊設(shè)計了
電容器。假如是普通結(jié)構(gòu),這些電荷就會溢出。樣品的像素間隔為20μm�？傁袼財�(shù)為4096。設(shè)計工藝為0.35μm,多晶硅2層,布線層3層。
