近日,日本東芝公司已經在一個SOI（絕緣體上外延硅）晶圓上制造出一款128MB無輸出電容器DRAM芯片,正在對這款芯片進行測試運作。東芝公司報告稱,去年二月份在最尖端半導體電路技術國際會議（ISSCC）上東芝公司報告了無輸出電容器DRAM芯片的設計和模擬效果。在本周舉行的電子裝置國際會議上,東芝公司展示了這款芯片的運作。聲稱是全球最大儲存密度無輸出電容器DRAM芯片。無輸出電容器DRAM芯片是在絕緣薄膜下電池產生的浮體效應取代了
近日,日本東芝公司已經在一個
SOI（絕緣體上外延硅）晶圓上制造出一款128MB無輸出
電容器DRAM芯片,正在對這款 芯片進行測試運作。
東芝公司報告稱,去年二月份在最尖端半導體電路技術國際會議（ISSCC）上東芝公司報告了無輸出電容器DRAM芯片的設計和模擬效果。在本周舉行的
電子裝置國際會議上,東芝公司展示了這款芯片的運作。聲稱是全球最大儲存密度無輸出電容器DRAM芯片。
無輸出電容器DRAM芯片是在絕緣薄膜下
電池產生的浮體效應取代了電容器使用傳統(tǒng)的DRAM芯片儲存數據。除了東芝公司外,創(chuàng)新硅公司和瑞薩科技公司也宣布了無輸出電容器DRAM芯片的原型,它們早在2000年就開始研究浮體效應電池儲存器。
東芝公司
SoC（系統(tǒng)芯片）研究開發(fā)中心技術部門
AMD公司首席專家Takeshi Hamamoto表示,東芝公司開發(fā)的128MB儲存容量無輸出電容器DRAM芯片是目前新產品中儲存密度最大的產品。他說：“128MB儲存容量的科技價值是巨大的,它的設計和開發(fā)全部依賴于實際應用,如果有必要,在三年內我們將能夠在
LSI (大規(guī)模集成電路）中使用”。
東芝公司指出,無輸出電容器DRAM芯片是在六層金屬上采用90納米
CMOS制造工藝制作的。電池尺寸為0.17平方微米,大約是傳統(tǒng)DRAM電池面積的一半。
在這款芯片的制作中,東芝公司工程師推出了部署版面與信號線、
電源線等銅線最優(yōu)化的電池設計,這些銅線幫助芯片達到 了書寫時間為10 ns（毫微秒,時間單位等于1秒的10億分之一）,讀取時間為20ns。
