DDR（雙數(shù)據(jù)速率）DRAM應(yīng)用于工作站和服務(wù)器的高速存儲系統(tǒng)中。存儲器IC采用1.8V或2.5V電源電壓,并需要等于電源電壓一半的基準(zhǔn)電壓（VREF＝VDD/2）。此外,各邏輯輸出端都接一只電阻器,等于并跟蹤VREF的終端電壓VTT。在保持VTT=VREF+0.04V的同時(shí),必須提供源流或吸收電流。圖1所示電路可為1.8V和2.5V兩種存儲器系統(tǒng)提供終端電壓,并可輸出高達(dá)6A的電流。IC1有一個降壓控制器和2個線性穩(wěn)壓控制器。IC1在輸入電壓為4.5～28V下工作。IC1
DDR（雙數(shù)據(jù)速率）DRAM應(yīng)用于工作站和服務(wù)器的高速存儲系統(tǒng)中。存儲器
IC采用1.8V或2.5V
電源電壓,并需要等于電源電壓一半的基準(zhǔn)電壓（V
REF＝V
DD/2）。此外,各邏輯輸出端都接一只
電阻器,等于并跟蹤V
REF的終端電壓V
TT。在保持V
TT=V
REF+0.04V的同時(shí),必須提供源流或吸收
電流。圖1所示電路可為1.8V和2.5V兩種存儲器系統(tǒng)提供終端電壓,并可輸出高達(dá)6A的電流。IC
1有一個降壓控制器和2個線性
穩(wěn)壓控制器。IC
1在輸入電壓為4.5～28V下工作。
IC
1的
200kHz固定頻率PWM控制器通過提供源流和吸收電流來保持輸出電壓。最大源電流等于最大吸收電流,但吸收電流沒有限流作用。IC
1吸收電流時(shí),將某些電流返回電源輸入端。為了實(shí)現(xiàn)跟蹤功能,IC
1額外的線性穩(wěn)壓控制器之一被配置成一個倒相放大器。這一放大器將V
DD/2（由R
1和R
2產(chǎn)生）與來自IC
1的V
REF進(jìn)行比較,產(chǎn)生一個誤差信號,誤差信號通過R
3到達(dá)IC
1的FB引腳,從而迫使V
OUT跟蹤V
DD/2。為實(shí)現(xiàn)精密跟蹤,必須用一只10mA的負(fù)載電阻器R
4來給倒相放大器提供偏量。當(dāng)V
DD為1～4V時(shí),V
OUT可跟蹤VDD/2。
