具有超低導(dǎo)通電阻的MOSFET降低AC／DCSMPS功率損失針對(duì)AC/DC同步整流和Oring電路的應(yīng)用,國(guó)際整流器公司（IR）推出一組電壓為75V和100V,具有超低導(dǎo)通電阻的AC/DC同步整流MOSFET。這批新器件具備業(yè)界超低導(dǎo)通電阻（例如,IRFB4310的RDS(on)為7mΩ;IRFB3207的RDS(on)為4.5mΩ）,能夠極大優(yōu)化筆記本電腦、LCD適配器和服務(wù)器等應(yīng)用AC/DCSMPS的效率和功率密度。IR公司AD/DC事業(yè)部產(chǎn)品市場(chǎng)工程師MarioBattello介紹,IR推出的這一組新品MOSFET
具有超低導(dǎo)通電阻的
MOSFET降低AC／DC SMPS
功率損失 針對(duì)AC/DC同步整流和Oring電路的應(yīng)用,國(guó)際
整流器公司（
IR）推出一組電壓為75V和
100V,具有超低導(dǎo)通電阻的AC/DC同步整流MOSFET。這批新器件具備業(yè)界超低導(dǎo)通電阻（例如,
IRFB4310的 RDS(
on) 為7mΩ;
IRFB3207的 RDS (on) 為 4.5mΩ）,能夠極大優(yōu)化
筆記本電腦、
LCD適配器和服務(wù)器等應(yīng)用AC/DC SMPS的效率和功率密度。
IR公司AD/DC事業(yè)部產(chǎn)品市場(chǎng)工程師Mario Battello介紹,IR推出的這一組新品MOSFET適用于反激、半橋、全橋、正激轉(zhuǎn)換器等各類不同AC/DC拓?fù)浼軜?gòu)的次邊。傳統(tǒng)上,在能量密度較高的SMPS中通常是將肖特基
二極管作為輸出整流器件,而二極管整流的傳導(dǎo)損失（Vf×If）占所有功率損失的一大部分,而將IR的同步整流MOSFET替代肖特基二極管后,“i－V”阻抗特性（RDS (on)×Idrms2）降低了AC/DC SMPS的整體功率損失,從而可極大地提升電路效率。當(dāng)輸出小于等于
12V時(shí),可使用 75V FET,輸出小于
24V時(shí),則可使用100V FET。
在實(shí)際應(yīng)用中,IR這一新產(chǎn)品
系列的同步整流MOSFET不僅能實(shí)現(xiàn)更高效率,而且能“以一頂二”壓縮元器件數(shù)目,進(jìn)而節(jié)省電路板空間、增加能量密度。帶來(lái)更高性能的新設(shè)計(jì)。此外,IR所確定的幾類封裝對(duì)簡(jiǎn)化現(xiàn)有設(shè)計(jì)的升級(jí)過(guò)程也十分有利。IR推出的這一組新品具有TO-
220、D2Pak和TO-
262三種封裝,均符合Q101和MSL1標(biāo)準(zhǔn)。用戶還可以選用無(wú)鉛封裝。
