FGA25N120ANTD提供開關和導通損耗之間最佳的性能權衡,并降低IH(電磁加熱)應用的工作溫度飛兆半導體公司(FairchildSemiconductor)的FGA25N120ANTD1200VNPT溝道IGBT結合業(yè)界最佳的抗雪崩能力和經優(yōu)化的開關和導通損耗性能權衡,能為電磁加熱(IH)應用提高系統(tǒng)可靠性和效率。FGA25N120ANTD專為微波爐、IH電飯煲和其它IH炊具而設計,與上一代器件相比,它的工作溫度可降低達10℃,因而能夠延長系統(tǒng)壽命。NPT溝道IGBT采用飛兆半導體的專利溝
FGA25N120ANTD提供
開關和導通損耗之間最佳的性能權衡,并降低IH (電磁加熱)應用的工作溫度
飛兆半導體公司 (
Fairchild Sem
iconductor) 的FGA25N120ANTD
1200V NPT溝道 IGBT結合業(yè)界最佳的抗雪崩能力和經優(yōu)化的開關和導通損耗性能權衡,能為電磁加熱 (IH) 應用提高系統(tǒng)可靠性和效率。FGA25N120ANTD 專為微波爐、IH電飯煲和
其它IH炊具而設計,與上一代器件相比,它的工作溫度可降低達
10℃,因而能夠延長系統(tǒng)壽命。NPT溝道IGBT采用飛兆半導體的專利溝道技術和非穿通型 (NPT) 技術。這種優(yōu)化的單元設計和薄型晶圓制造工藝使得FGA25N120ANTD能夠耐受最大450mJ的雪崩能量,確保在異常的雪崩模式情況下仍能進行無故障運作。
飛兆半導體功能
功率部副總裁Taehoon Kim稱：“在電磁加熱設備中,不穩(wěn)定的功率、AC線路浪涌和系統(tǒng)故障會引起雪崩模式情況,導致機器瞬間失效。為了解決IH應用中的這些可靠性問題,我們的新型1200V NPT溝道IGBT提供業(yè)界最佳的抗雪崩能力,還同時優(yōu)化性能方面的權衡,以降低工作溫度及提升總體系統(tǒng)效率�！�
FGA25N120ANTD的其它特性和系統(tǒng)優(yōu)勢包括：
? 低飽和電壓 (VCE(
sat),
typ = 2.0V @ IC = 25A 和 TC = 25°C) 以限制導通損耗;
? 低開關損耗 (Eoff, typ = 0.96mJ @ IC = 25A 和 TC = 25°C) 以減少系統(tǒng)功耗;以及
? 內置
FRD (快速恢復
二極管) 以簡化電路設計和減少元件數(shù)。
FGA25N120ANTD以TO-3P無鉛封裝形式供貨,能達到甚至超越IPC/JEDEC的 J-
STD-
020B標準要求,并符合現(xiàn)已生效的歐盟標準。
