英飛凌推進DDR2FB-DIMM部署推出ARM芯片
2005年8月26日在舊金山召開的英特爾開發(fā)商論壇（IDF）上,全球內(nèi)存產(chǎn)品供應商英飛凌科技公司（FSE/NYSE：IFX）宣布,該公司正在推出雙數(shù)據(jù)速率2（DDR2）全緩沖內(nèi)存模塊（FB-DIMM）樣品,英飛凌是業(yè)界唯一能設計和生產(chǎn)FB_DIMM所有關鍵部件的公司。容量在512MB到4GB之間的新型FB-DIMM,基于英飛凌出品的高級內(nèi)存緩沖（AMB）芯片、DDR2 DRAM芯片及其自主開發(fā)的散熱器。另外,英飛凌還為其他FB-DIMM生產(chǎn)商提供AMB邏輯芯片,并且已經(jīng)將樣品發(fā)給了第一批客戶。
“新模塊的優(yōu)化生產(chǎn)需要三方面的創(chuàng)新：高容量高速DDR2 DRAM、AMB芯片以及散熱器（管理高內(nèi)存容量與高速AMB芯片融合產(chǎn)生的熱負荷）,”英飛凌內(nèi)存產(chǎn)品事業(yè)部計算業(yè)務部主管Michael Buckermann說,“從2006年起,這種技術將開始逐漸取代高端服務器系統(tǒng)中的寄存式DIMM產(chǎn)品,英飛凌對組件和模塊生產(chǎn)的全面控制將為服務器生產(chǎn)商提供成熟的高質(zhì)量產(chǎn)品,并實現(xiàn)順利部署經(jīng)過優(yōu)化調(diào)整的FB-DIMM�！�
FB-DIMM把現(xiàn)行寄存式DIMM的并行結(jié)構變成了串行點到點連接。這將消除新一代服務器內(nèi)存容量增加與速度升級導致的吞吐量瓶頸。英飛凌設計生產(chǎn)的AMB,是一個高度復雜的邏輯芯片,它將控制點到點連接,第一代AMB能提供4.8Gbps的數(shù)據(jù)速率來實現(xiàn)與傳輸速度高達800Mbps的DDR2 DRAM的直接高速鏈接。除了用于自有模塊之外,英飛凌還為其他FB-DIMM生產(chǎn)商提供AMB芯片,從而推進新一代服務器內(nèi)存的市場滲透。
作為FB-DIMM開發(fā)領域的先驅(qū),英飛凌在2004年8月推出了業(yè)內(nèi)第一款AMB測試芯片,并在2005年2月的IDF論壇上成功展示了DDR2平臺上的系統(tǒng)啟動。今天宣布的這代FB-DIMM將運用速度級別在553和667Mbps的DDR2 DRAM,今后將進一步提升到800 Mbps。
根據(jù)市場調(diào)查公司iSuppli最近的一份報告顯示,在OEM服務器市場,FB-DIMM在2006年所占份額為16%（總數(shù)420萬套）,到2008年將增加到79%。
