微型mSerDes器件可將電磁干擾降低40dB為解決便攜和消費電子產(chǎn)品在應(yīng)用中由于產(chǎn)品功能聚合而引致復(fù)雜性不斷增加的設(shè)計難題,飛兆半導(dǎo)體公司(FairchildSemiconductor)推出了名為mSerDes的創(chuàng)新微型串化器/解串器系列產(chǎn)品FIN12和FIN24。飛兆半導(dǎo)體亞太區(qū)總裁兼董事總經(jīng)理郭裕亮介紹說,mSerDes器件可使便攜產(chǎn)品的待機功耗較其它解決方案降低10倍左右（待機功耗為納安級、有效功率為毫安級）,而功耗往往是影響電池壽命和手機通話時間的關(guān)
微型mSerDes器件可將電磁干擾降低
40dB為解決便攜和消費電子產(chǎn)品在應(yīng)用中由于產(chǎn)品功能聚合而引致復(fù)雜性不斷增加的設(shè)計難題,飛兆半導(dǎo)體公司 (
FairchildS
emiconductor)推出了名為mSerDes的創(chuàng)新微型串化器/解串器系列產(chǎn)品FIN
12和FIN
24。
飛兆半導(dǎo)體亞太區(qū)總裁兼董事總經(jīng)理郭裕亮介紹說,mSerDes器件可使便攜產(chǎn)品的待機功耗較
其它解決方案降低
10倍左右（待機功耗為納安級、有效
功率為毫安級）,而功耗往往是影響
電池壽命和
手機通話時間的關(guān)鍵參數(shù)。 mSerDes 器件還能將傳統(tǒng)的多數(shù)據(jù)并行傳輸縮減為2線高速串行傳輸,從而將互連導(dǎo)線數(shù)減少6至7倍,該串行鏈路使用創(chuàng)新的EMI抑制技術(shù)來實現(xiàn),有助于用戶產(chǎn)品更快獲得電磁兼容 (EMC) 管理系統(tǒng)認(rèn)可。FIN12和FIN24器件可在基頻下將電磁干擾降低30 dB~40dB,并將棘手的諧波干擾減小到
100dBm以下,以獲得更好的EMC性能。這些創(chuàng)新的改進(jìn)都是通過串化結(jié)構(gòu)的革新以及兩項新型差分I/O技術(shù)、低功耗LVDS (LpLVDS) 和
電流轉(zhuǎn)換邏輯 (CTL) 來實現(xiàn)的,與傳統(tǒng)的I/O技術(shù)相比可實現(xiàn)更低的功耗和電磁干擾。這種高度靈活的接口方案可在
多種顯示平臺上方便地實施,能夠縮短產(chǎn)品開發(fā)周期和加速產(chǎn)品上市。mSerDes還可減少元件總數(shù)和所需的電路板面積,協(xié)助優(yōu)化手機、數(shù)碼相機、打印機及其它對空間敏感應(yīng)用的尺寸和成本。
除此之外,mSerDes器件的特點還包括,串化數(shù)據(jù)速率高達(dá)780Mbps,能顯著降低電纜信號衰減,單向接口大于25:4,雙向接口大于50:7,具有更大的靈活性,可提供12、
22、24位器件,可支持像素或微控制器接口,使用
powerup/down 信號可將
IC配制成串化或解串器等等 。
