IR推出用于DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器的新型DirectFETMOSFET芯片組
世界功率管理技術(shù)領(lǐng)袖國(guó)際整流器公司（International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR）近日推出新型的DirectFET MOSFET同步降壓轉(zhuǎn)換器芯片組。新品適用于下一代采用Intel和AMD處理器的高端臺(tái)式電腦和服務(wù)器,以及先進(jìn)的電信和數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)等高頻率、大電流的DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用。
例如,電流為130A的五相轉(zhuǎn)換器如果采用最新的IRF6619和IRF6633芯片組,可在一個(gè)緊湊的面積上實(shí)現(xiàn)85%的效率。
IR中國(guó)及香港銷售總監(jiān)嚴(yán)國(guó)富指出：“IRF6619和IRF6633芯片組能在處理器電源系統(tǒng)的每相位中取代四個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的D-Pak MOSFET,可以減少一半的元件數(shù)量,并為每個(gè)相位減少一半以上的占板空間,有效壓縮工作站和服務(wù)器的體積�！�
IRF6619是理想的同步MOSFET,器件的典型導(dǎo)通電阻極低,在10VGS下為1.65mΩ,在4.5VGS下則為2.2mΩ,而逆向恢復(fù)電荷可以低至22nC。該器件采用MX中罐D(zhuǎn)irectFET封裝,占板面積與SO-8封裝相同,高度只有0.7mm。
IRF6633的柵電荷極低,米勒電荷只有4nC,最適合作為控制用場(chǎng)效應(yīng)管。與市場(chǎng)上其他20VN器件相比,其導(dǎo)通電阻和柵電荷減少了43%以上。該器件的混合導(dǎo)通電阻與柵電荷性能效益指數(shù)為38 mΩ-nC。它采用MP中罐D(zhuǎn)irectFET封裝,占板面積與SO-8封裝相同,高度同樣只有0.7mm。
IR的DirectFET MOSFET封裝已獲得專利,它匯集了標(biāo)準(zhǔn)塑料分立封裝所不具備的一系列設(shè)計(jì)優(yōu)點(diǎn)。金屬罐構(gòu)造能發(fā)揮雙面冷卻功能,使得用以驅(qū)動(dòng)先進(jìn)微處理器的高頻DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器的電流處理能力增加一倍。
該芯片組的基本規(guī)格如下：
