9_12V的中、高電壓系統(tǒng)往往需要下列的1個(gè)或多個(gè)電路功能：熱變換控制,電路斷路器失效保護(hù)和侵入電流限制。在圖1電路中無(wú)R4可為負(fù)載（C1和R2）提供侵入電流限制和可靠的電路斷路器功能。這仍然只包含1個(gè)P溝道MOSFET、1個(gè)熱交換控制器IC和兩個(gè)任選電阻器（R1和R3）。在MOSFET漏極增加R4（小值電阻器）可提供可調(diào)節(jié)斷路點(diǎn)并改善工作溫度范圍內(nèi)的精度。對(duì)于熱交換應(yīng)用,根據(jù)一般的9V/ms柵板驅(qū)動(dòng)轉(zhuǎn)換率,U1限制侵入電流。侵入電流由下式給
9_12V的中、高電壓系統(tǒng)往往需要下列的1個(gè)或多個(gè)電路功能：熱變換控制,電路斷路器失效保護(hù)和侵入
電流限制。在圖1電路中無(wú)R4可為負(fù)載（
C1和
R2）提供侵入電流限制和可靠的電路斷路器功能。這仍然只包含1個(gè)P溝道
MOSFET、1個(gè)熱交換控制器
IC和兩個(gè)任選
電阻器（R1和R3）。在MOSFET漏極增加R4（小值電阻器）可提供可調(diào)節(jié)斷路點(diǎn)并改善工作溫度范圍內(nèi)的精度。
對(duì)于熱交換應(yīng)用,根據(jù)一般的9V/
ms柵板驅(qū)動(dòng)轉(zhuǎn)換率,U1限制侵入電流。侵入電流由下式給出：
I=（C×dv）/
dt=C×SR
其中C表示負(fù)載
電容,SR為U1設(shè)置的轉(zhuǎn)換率（通常為（V/ms）。對(duì)于
100μF的負(fù)載電容,IC限制侵入電流大約為0.9A。
U1的電路斷路器功能用內(nèi)部比較器和MOSFET導(dǎo)通電阻RDSC
ON來(lái)感測(cè)失效條件。Q1的RDSCON典型值為52mΩ,U1具有
300mV、400mV或500mV可選擇電路斷路器（CB）斷路點(diǎn)。在最低斷路點(diǎn)（300mV）,CB斷路電流一般為5.77A（Tj=25℃）。
電路斷路器的電壓斷路值由下式?jīng)Q定：
VCB＞RDS（ON）×ILOAD（
MAX）或
VCB/ILOAD（MAX）＞RDS（ON）
假定所希望限值是2A,則所用典型值：
300mV/2A≈
150mΩ＞RDS（ON）
替化具有較高導(dǎo)通電阻的另1個(gè)MOSFET,大約100mΩ（R4）的電阻器與Q1串聯(lián)。除能約可調(diào)節(jié)電路斷路器電平外,R4能提供更好的電路斷路器精度和改善整個(gè)溫度范圍內(nèi)的穩(wěn)定變。對(duì)于Q1為RDS（ON）≈52mΩ （Tj=25℃）和≈130mΩ （Tj=
125℃）,其變化為150%。假若增加1個(gè)100mΩ、100ppm/ ℃電阻器（從25℃到150℃其復(fù)化為0.001Ω）,則從25℃（152mΩ）到125℃（231mΩ）組合變化僅為79Ω,此為52%。
