采用1.5mmx1mm芯片級封裝的線性穩(wěn)壓器具有超低的噪聲與靜態(tài)電流、高PSRR等卓越特性2005年6月15日,北京訊日前,德州儀器(TI)宣布推出一系列200mA低壓降線性穩(wěn)壓器(LDO),其采用的1.5mmx1mm芯片級封裝與當(dāng)前SOT-23器件相比,尺寸縮小了80%。3G手持終端采用對噪聲敏感的藍(lán)牙、RF以及高分辨率相機(jī)電路,其中包括基于TIOMAP™處理器的高級智能型拍照手機(jī),而該款小巧的低噪聲LDO可充分滿足這些應(yīng)用對電源管理的嚴(yán)格要求。更多詳情,敬請
采用 1.5 mm x 1 mm 芯片級封裝的線性穩(wěn)壓器具有超低的噪聲與靜態(tài)
電流、高 PSRR 等卓越特性
2005 年 6 月
15 日,北京訊
日前,德州儀器 (
TI) 宣布推出一
系列 200 mA 低壓降線性穩(wěn)壓器 (
LDO),其采用的 1.5 mm x 1 mm 芯片級封裝與當(dāng)前
SOT-
23 器件相比,尺寸縮小了 80%。3G 手持終端采用對噪聲敏感的藍(lán)牙、
RF 以及高分辨率相機(jī)電路,其中包括基于 TI OMAP™ 處理器的高級智能型拍照
手機(jī),而該款小巧的低噪聲 LDO 可充分滿足這些應(yīng)用對
電源管理的嚴(yán)格要求。更多詳情,敬請參見：/sc05131。
TI 的新型 TPS799xx LDO 可提供 29.6 µV (RMS) 的輸出噪聲,并能在 1 kHz 時提供高達(dá) 66
dB 的電源抑制比 (PSRR)。因此,在調(diào)節(jié)手持終端中噪聲最敏感電路的電源時,可最大限度地將噪聲降至最低。此外,該器件具有 45µs 的快速啟動時間以及出色的瞬態(tài)響應(yīng),而電流消耗僅為
40 µA（典型值）。
由于 TPS799xx 系列采用了小型的 2.2 µF
陶瓷電容器,因而性能非常穩(wěn)定。在整個輸入電壓范圍內(nèi),當(dāng)電流為 200mA 時,產(chǎn)生低至
100mV 的壓降電壓,從而能夠充分滿足 3G 手持終端與 WLAN 網(wǎng)卡對電源的苛刻要求。此外,這些高精度器件還采用了準(zhǔn)確的參考電壓與反饋環(huán)路,能夠?qū)⒇?fù)載、線路以及溫度變化的總體精確度控制在 2%。
