KLA-Tencor今天發(fā)布了其最新一代在線電子束（e-beam）晶圓檢查系統(tǒng)eS31,它能夠滿足芯片制造商對65nm和以下節(jié)點的工程分析和生產(chǎn)線監(jiān)控應用方面的高靈敏度檢查需要。eS31采用了KLA-Tencor的經(jīng)過生產(chǎn)驗證的23xx光明場檢查平臺,以及若干能夠比前一代電子束檢查設備在擁有成本（CoO）方面提升六倍之多的若干硬件和軟件。利用eS31,芯片制造商可以發(fā)現(xiàn)電路缺陷,并在工藝開發(fā)階段及時解決這些問題,使他們的先進產(chǎn)品更迅速地進入市場,與此
KLA-Tencor今天發(fā)布了其最新一代在線電子束（e-beam）晶圓檢查系統(tǒng)eS31,它能夠滿足芯片制造商對65nm和以下節(jié)點的工程分析和生產(chǎn)線監(jiān)控應用方面的高靈敏度檢查需要。eS31采用了KLA-Tencor的經(jīng)過生產(chǎn)驗證的
23xx光明場檢查平臺,以及若干能夠比前一代電子束檢查設備在擁有成本（CoO）方面提升六倍之多的若干硬件和軟件。利用eS31,芯片制造商可以發(fā)現(xiàn)電路缺陷,并在工藝開發(fā)階段及時解決這些問題,使他們的先進產(chǎn)品更迅速地進入市場,與此同時,在生產(chǎn)過程中對電性缺陷異常增高的監(jiān)控能夠?qū)崿F(xiàn)更高的產(chǎn)量,并降低其每個成品硅片的成本。
隨機攜帶的mLoop技術(shù)縮短了數(shù)星期的工藝開發(fā)時間eS31是eS3x產(chǎn)品
系列中第一個集成了該公司專有的mLoop（“Micro Loop”）技術(shù)的系統(tǒng),它可以在早期發(fā)現(xiàn)以前使用電路探針需要花幾個星期才能發(fā)現(xiàn)的對良率有關(guān)鍵影響的電性缺陷。自從KLA-Tencor推出了前一代eS20XP檢查系統(tǒng)以來,mLoop已經(jīng)被全球領(lǐng)先的芯片制造商采用,以加速他們先進工藝的良率學習周期。mLoop采用獨特的優(yōu)化電壓對比測試結(jié)構(gòu),有助于芯片制造商確定電路缺陷的精確位置。利用eS31的mLoop技術(shù)可以在一個小時內(nèi)完成整個晶圓區(qū)的檢查。mLoop最初是為生產(chǎn)線后端（BEOL）工藝加速良率學習周期設計的,它也能發(fā)現(xiàn)生產(chǎn)線前端（FEOL）工藝中的重要缺陷,例如多晶硅間微小殘留,為SRAM結(jié)構(gòu)提供先進電路的檢驗。這尤其適用于微調(diào)光刻板/光掩膜,以改善線寬。
新型缺陷推動著新型檢查解決方案的需求向小型設計標準的轉(zhuǎn)變、新材料和更大的晶圓尺寸導致了缺陷類型的顯著增加,這些問題利用電子束檢查才能發(fā)現(xiàn)。在銅的雙重鑲嵌工藝中,更小的線寬導致了新的隱蔽的缺陷——銅空洞——用光學檢查系統(tǒng)是難以發(fā)現(xiàn)的。新材料,例如鈷化物和鎳化物,其隱蔽的電路缺陷也在增加。漏電對先進邏輯器件性能的影響日益加大,也已成為人們越來越關(guān)注的一個焦點。此外,先進存儲器件的極大的高寬比比（＞
40∶1）結(jié)構(gòu)也推動著電子束檢查的需求,因為光學檢查設備不能發(fā)現(xiàn)這些結(jié)構(gòu)底部形成的蝕刻下缺陷。eS31是專門用來發(fā)現(xiàn)以上這些和影響器件電路性能的許多其他重要缺陷類型的方法。
基準靈敏度和生產(chǎn)價值
eS31具有所需的發(fā)現(xiàn)極�。�50nm以下）的物理缺陷和電壓對比缺陷的靈敏度。eS31系統(tǒng)擴展的光學設備使之具備了提高數(shù)據(jù)處理速度和基于規(guī)則的分類（
RBB）生產(chǎn)能力,這比同類電子束檢查設備提高了六倍。此外,eS31可作為KLA-Tencor業(yè)界領(lǐng)先的23xx光場檢查平臺,它已被整個代工行業(yè)廣泛采用。通過共用一個通用的平臺,eS31有助于降低設備操作人員的培訓成本,并改善了使用和格式設置的易用性。不同于同類電子束檢查平臺,eS31也簡化了電子束的基本檢測參數(shù)設置,同時利用一個自動化程序進行設備校準,使工程師可以把更多的精力集中在實驗設計（DOE）和工藝的改進方面。
