2005年4月4日存儲器和微控制器多片封裝技術(shù)應用的領(lǐng)導者意法半導體日前宣布該公司已開發(fā)出能夠疊裝多達8顆存儲器芯片的高度僅為1.6mm的球柵陣列封裝(BGA)技術(shù),這項封裝技術(shù)還可以將兩個存儲器芯片組裝在一個厚度僅為0.8mm的超薄細節(jié)距BGA封裝（UFBGA）內(nèi),采用這項制造技術(shù)生產(chǎn)的器件可以滿足手機、數(shù)碼相機和PDA等體積較小的設(shè)備的存儲需求。ST的多片封裝（MCP）器件內(nèi)置通常是二到四顆不同類型的存儲芯片,如SRAM、閃存或DRAM,這些
2005年4月4日存儲器和微控制器多片封裝技術(shù)應用的領(lǐng)導者意法半導體日前宣布該公司已開發(fā)出能夠疊裝多達8顆存儲器芯片的高度僅為1.6mm的球柵陣列封裝(
BGA)技術(shù),這項封裝技術(shù)還可以將兩個存儲器芯片組裝在一個厚度僅為0.8mm的超薄細節(jié)距BGA封裝（UFBGA）內(nèi),采用這項制造技術(shù)生產(chǎn)的器件可以滿足
手機、數(shù)碼相機和PDA等體積較小的設(shè)備的存儲需求。
ST的多片封裝（
MCP）器件內(nèi)置通常是二到四顆不同類型的存儲芯片,如SRAM、閃存或DRAM,這些器件已經(jīng)廣泛用于空間很寶貴的手機產(chǎn)品中。因為芯片是直接堆疊組裝在封裝內(nèi),所以器件占用的印刷電路板空間與單片器件相同;因為存儲芯片使用很多公用信號,如尋址和數(shù)據(jù)總線,所以封裝與電路板之間的連線數(shù)量與單片器件也基本相同。
分立器件的使用允許在相同的占板面積內(nèi)配備不同類型的甚至采用不同制造工藝的存儲器,如NOR閃存和SRAM。
其它可以組合的存儲器包括NAND閃存和DRAM或者NOR閃存+NAN閃存+SRAM。雙片封裝可以集成一個ASIC和NAND閃存或NOR閃存和SRAM。
直到目前,能夠切實可行地采用多片封裝的芯片的數(shù)量還受到單個裸片厚度的限制,采用多片封裝的典型應用是對器件總體積的要求與對電路板的要求相同,增加封裝高度是無法接受的。ST的新技術(shù)充分利用了只有
40微米厚的超薄裸片的優(yōu)勢, 只有40微米厚的“中介層”支撐并隔離封裝內(nèi)的每顆裸片。
