應(yīng)用材料公司(AppliedMaterials)日前在國(guó)際電子器件大會(huì)(IEDM)期間主持了一場(chǎng)研討會(huì),探討了在所有種類半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中由應(yīng)力導(dǎo)致(stress-induced)的遷移率增強(qiáng)的現(xiàn)狀和前景。英特爾公司的項(xiàng)目經(jīng)理TahinGhani指出了市場(chǎng)當(dāng)前的現(xiàn)狀。"我們目前采用第一代應(yīng)變硅制造技術(shù)進(jìn)行90納米工藝生產(chǎn)。我們將應(yīng)變運(yùn)用到500megaPascals類應(yīng)用上,在載體遷移率上改進(jìn)50%,而在IDsat上總體提高30%。"但在65納米出現(xiàn)一些問(wèn)題。"應(yīng)變不斷增加使缺陷密度也
應(yīng)用材料公司(Applied Materials)日前在國(guó)際電子器件大會(huì)(IEDM)期間主持了一場(chǎng)研討會(huì),探討了在所有種類半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中由應(yīng)力導(dǎo)致(stress-induced)的遷移率增強(qiáng)的現(xiàn)狀和前景。
英特爾公司的項(xiàng)目經(jīng)理Tahin Ghani指出了市場(chǎng)當(dāng)前的現(xiàn)狀。"我們目前采用第一代應(yīng)變硅制造技術(shù)進(jìn)行90納米工藝生產(chǎn)。我們將應(yīng)變運(yùn)用到500 megaPascals類應(yīng)用上,在載體遷移率上改進(jìn)50%,而在IDsat上總體提高30%。"
但在65納米出現(xiàn)一些問(wèn)題。"應(yīng)變不斷增加使缺陷密度也增加。我們不知道如何優(yōu)化器件以得到在給定的應(yīng)變下的最大響應(yīng)。我們還不知道,隨著P通道器件比N通道器件速度提高接近1倍,設(shè)計(jì)會(huì)產(chǎn)生什么影響。"
IBM公司的Ken Rim補(bǔ)充說(shuō)："未來(lái)我們會(huì)增加應(yīng)變水平,我們還將在晶圓上融合局部應(yīng)變和全局應(yīng)變。但會(huì)出現(xiàn)很多問(wèn)題：缺陷率怎么處理?可以縮小嗎？工藝可變性又有了新源頭么？"
