國際整流器公司（IR）推出最新芯片組解決方案
國際整流器公司（International Rectifier,簡稱IR）推出最新芯片組解決方案,適用于多元化的通用電信輸入（36V至75V）及48V固定輸入系統(tǒng)。
新芯片組專為隔離式或非隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器應用而設(shè)計,可提升系統(tǒng)層面的電源性能,如220W以下系統(tǒng)主機板的大型48V轉(zhuǎn)換,或用以驅(qū)動基站系統(tǒng)的無線電放大器。
IR中國及香港銷售總監(jiān)嚴國富表示：“我們最新的優(yōu)化芯片組包含嶄新的DirectFETMOSFET及IR2086S控制器集成電路,為網(wǎng)絡及通信業(yè)普遍采用的兩種轉(zhuǎn)換器電路布局提供更簡單的完整方案�！�
IR2086S 控制器集成電路采用初級全橋布置,可簡化隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器電路。它特別針對總線轉(zhuǎn)換器應用進行優(yōu)化,并采用自振式50% 固定工作周期。相比于業(yè)界標準的四分之一磚設(shè)計,該芯片組能有效節(jié)省多達50% 的電路板空間,并可減少60% 的組件數(shù)目。
IR2086S設(shè)有一個集成軟啟動電容器,能在2,000余個周期內(nèi)把工作周期逐步增加至50%,以限制在啟動階段輸入的電流;同時在整個啟動過程中為全橋的高、低端MOSFET保持相同的脈沖寬度。
新器件的其它特點包括自恢復電流限制保護、±1.2A柵驅(qū)動電流及50 -200毫微秒的可調(diào)停滯時間以抗衡擊穿電流、最高達500kHz的可編程開關(guān)頻率。
設(shè)計師可從100V IRF6644或IRF6655、40V IRF6613或IRF6614四種DirectFET MOSFET選擇所需產(chǎn)品,組成完整的芯片組。這些MOSFET采用IR最新技術(shù)及DirectFET封裝,能大幅優(yōu)化導通電阻、柵電荷等重要器件指標。
例如,在典型的電信基站功率放大器中,需要從一個36-75V的輸入獲得28V輸出。通過兩級變換,IR最新的 DirectFET MOSFET及控制芯片組能構(gòu)成一個頗具效率的轉(zhuǎn)換器,在全負載、250W環(huán)境下效率高達92.5%。
第一級,在非隔離同步降壓配置中采用IRF6655和IRF6644產(chǎn)生經(jīng)過調(diào)節(jié)的中段電壓。緊接的初級部分以IR2086S和IRF6614建立簡單的全橋固定比率總線轉(zhuǎn)換器;次級部份則采用IRF6644實現(xiàn)自驅(qū)動同步整流。
這一新方案能消除傳統(tǒng)的單級方案中復雜的次級控制電路�？偩�轉(zhuǎn)換器的50%可讓設(shè)計員在次級部分采用100V MOSFET,避免采用會損耗2% 效率的150V或200V MOSFET。
若使用于獨立的48V固定輸入總線轉(zhuǎn)換器應用,最新100V IRF6644可在220W (8Vout @ 27.5A) 全負載環(huán)境下效率高達95.7%,適用于大部分網(wǎng)絡和高端計算機運算系統(tǒng)。與采用單一100V SO-8 MOSFET的同類電路相比,它可提升效率約1%,并把器件溫度降低40°C。
由于器件溫度更低,因此無需在初級部分添加并行器件,即可滿足更高電流要求。整體而言,IRF6644可提升約46% 輸出功率,并有助于平衡轉(zhuǎn)換器初級和次級部分的溫度。相比類似電氣參數(shù)的其它方案,IRF6644的導通電阻降低了約48%。
