鐵電存儲器FM24C256在儀表中的應用
關(guān)鍵詞：存貯器；FM24C256；AT24C256；EEPROM
一． 概述：
FRAM是最近幾年由RAMTRON公司研制的新型存貯器，它的核心技術(shù)是鐵電晶體材料，擁有隨即存取記憶體和非易失性存貯產(chǎn)品的特性。FM24C256是一種鐵電存貯器（FRAM）,容量為256KBIT存貯器，它和AT24C256容量等同，總線結(jié)構(gòu)兼容，但FM24C256的性能指標遠大于AT24C256。在存貯器領(lǐng)域中，F(xiàn)M24C256應用逐漸被推廣和認可，尤其是大容量存貯器，它的優(yōu)良特性遠高于同等容量的EEPROM。在電子式電能表行業(yè)中，數(shù)據(jù)安全保存是最重要的。隨著電子表功能的發(fā)展，保存的數(shù)據(jù)量越來越大，這就需要大容量的存儲器，而大容量的EEPROM性能指標不是很高，尤其是擦寫次數(shù)和速度影響電能表自身的質(zhì)量。FM24C256在電能表中的使用，會提高電能表的數(shù)據(jù)安全存貯特性。
二． 鐵電存貯器（FRAM）FM24C256的特性：
傳統(tǒng)半導體記憶體有兩大體系：易失性記憶體（volatile memory）和非易失性記憶體（non-volatile memory）。
易失性記憶體像SRAM和DRAM在沒有電源的情況下都不能保存數(shù)據(jù)。但這種存貯器擁有高性能、易用等優(yōu)點。
非易失性記憶體像EPROM，EEPROM和FLASH能在斷電后仍保存數(shù)據(jù)。但由于所有這些記憶體均起源自ROM技術(shù)，所以不難想象得到他們都有不易寫入的缺點：寫入緩慢、讀寫次數(shù)低、寫入時工耗大等。
FM24C256是一個256Kbit 的FRAM，總線頻率最高可達1MHz，10億次以上的讀寫次數(shù)，工耗低。與典型的EEPROM AT24C256相比較，F(xiàn)M24C256可跟隨總線速度寫入，無須等待時間，而AT24C256必須等待幾毫秒（ms）才能進行下一
