日前在美國所舉行有關(guān)半導(dǎo)體光刻技術(shù)研討會SPIEMicrolithography中,新墨西哥大學(xué)學(xué)者宣稱,運用濕浸式技術(shù),可望將193納米光刻設(shè)備向下延伸至22納米工藝以下。據(jù)報道,率先采用濕浸式193納米光刻技術(shù)的硅片代工龍頭臺積電,也于1月底時表示類似看法。分析師指出,SPIE研討會中的最新發(fā)展,不僅確認(rèn)濕浸式193納米光刻科技具向下延伸到45納米工藝結(jié)點的解決方案外,更暗示157納米光刻科技或深紫外光（EUV）光刻科技,恐將被迫打入冷宮,事實上
日前在美國所舉行有關(guān)半導(dǎo)體光刻技術(shù)研討會SPIEMicrolithography中,新墨西哥大學(xué)學(xué)者宣稱,運用濕浸式技術(shù),可望將193納米光刻設(shè)備向下延伸至
22納米工藝以下。據(jù)報道,率先采用濕浸式193納米光刻技術(shù)的硅片代工龍頭臺積電,也于1月底時表示類似看法。
分析師指出,SPIE研討會中的最新發(fā)展,不僅確認(rèn)濕浸式193納米光刻科技具向下延伸到45納米工藝結(jié)點的解決方案外,更暗示157納米光刻科技或深紫外光（EUV）光刻科技,恐將被迫打入冷宮,事實上,荷商ASML日前已暗示該公司將把157納米光刻科技列為備選方案,而傾全力配合研發(fā)深紫外光科技。
在半導(dǎo)體廠商方面,除已明確表態(tài)將繞道157納米光刻技術(shù)藍(lán)圖,直接從193納米光刻技術(shù)轉(zhuǎn)進深紫外光技術(shù)的半導(dǎo)體龍頭英特爾（Intel）以外,尚有硅片代工龍頭臺積電日前表示,將首先采用濕浸式193納米光刻設(shè)備,借以導(dǎo)入先進工藝生產(chǎn)。
然而,仍有德州儀器（
TI）、意法（STMicroelectronics）等半導(dǎo)體廠商認(rèn)為,157納米光刻科技仍有可為之處,不僅深紫外光光刻設(shè)備的研發(fā)恐怕緩不濟急,也認(rèn)為193納米光刻技術(shù)可能無法按照規(guī)劃向下延伸至先進工藝,不過,夾處兩大陣營之間,日子最難過的恐怕仍是光刻設(shè)備供應(yīng)商。
