先進(jìn)LCD和OLED顯示對(duì)測(cè)試精度和靈敏度提出更高要求
ice:office" />
新型平板顯示技術(shù),包括從非晶硅和低溫多晶硅(LTPS)有源陣列LCD(AMLCD)平板顯示到新出現(xiàn)的有機(jī)LED及其他技術(shù)在內(nèi)的多項(xiàng)新型技術(shù),勢(shì)必將催生附加值更高的產(chǎn)品。不過(guò),它們需要效率更高的測(cè)試,而相應(yīng)的儀器和系統(tǒng)必須能提供更高的測(cè)試吞吐量和精度。
您周?chē)娜丝捎腥艘I(mǎi)房？
非晶硅LCD測(cè)試
非晶硅(a-Si)是AMLCD所采用的傳統(tǒng)技術(shù),目前在市場(chǎng)份額方面它仍然占有統(tǒng)治地位。由于a-Si襯底技術(shù)可以用于制造更大的顯示屏,故制造商們正在努力提高產(chǎn)量和成品率。為了節(jié)約在制造過(guò)程監(jiān)控方面所花費(fèi)的時(shí)間,他們現(xiàn)在只測(cè)試關(guān)鍵性的特性：Id-Vg曲線及其增/減滯后特性,電壓閾值(Vth),正向(導(dǎo)通)電流,像素TFT漏電流(IL),開(kāi)關(guān)(響應(yīng))時(shí)間,以及接觸鏈的電阻和電容。
這些測(cè)量通過(guò)圍繞在每塊LCD面板外周的測(cè)試元件組(TEG)來(lái)實(shí)現(xiàn)。有時(shí),也要測(cè)試一些工作像素,以檢查一致性的好壞,而氧化銦/錫(ITO)的導(dǎo)電層特性也需要經(jīng)過(guò)抽查。
LCD薄膜晶體管(TFT)的參數(shù)特性測(cè)試需要對(duì)柵、漏極在關(guān)態(tài)下的漏電流進(jìn)行靈敏度極高的測(cè)量。如果閾值電壓和亞閾值(漏)電流過(guò)高的話,則會(huì)出現(xiàn)圖像鬼影,所以IL的測(cè)量能力需要達(dá)到fA水平。
典型的系統(tǒng)(圖1)包括DC電源測(cè)量單元,開(kāi)關(guān)陣列(以便通過(guò)一組儀器來(lái)實(shí)現(xiàn)多個(gè)器件的測(cè)量),探針臺(tái)(未示出)和相應(yīng)的線纜連接。由于玻璃襯底板的尺寸很大,整套設(shè)備的尺寸也偏大,其中包括與LCD TEG和工作像素相接觸的探針臺(tái)。這樣,要讓測(cè)量?jī)x器盡可能的接近信號(hào)源
