美國(guó)馬里蘭大學(xué)（位于美國(guó)馬里蘭州CollegePark）的研究人員發(fā)現(xiàn)半導(dǎo)體碳納米管的遷移率比其他半導(dǎo)體材料高25%,比硅高70%。這些發(fā)現(xiàn)有望促使碳納米管在從計(jì)算機(jī)芯片到生化傳感器的各類(lèi)應(yīng)用中取代傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料。----研究人員制作了一個(gè)碳納米晶體管,他們發(fā)現(xiàn)在25℃時(shí)這種納米管的室溫遷移率大于100000cm2/V-s,這一舉超越了銻化銦保持了長(zhǎng)達(dá)48年之久的室溫遷移率紀(jì)錄（原先為77000cm2/V-s）。目前的硅電腦芯片提供大約1500cm2/V-s的
美國(guó)馬里蘭大學(xué)（位于美國(guó)馬里蘭州College Park）的研究人員發(fā)現(xiàn)半導(dǎo)體碳納米管的遷移率比其他
半導(dǎo)體材料高25%,比硅高70%。這些發(fā)現(xiàn)有望促使碳納米管在從計(jì)算機(jī)芯片到生化
傳感器的各類(lèi)應(yīng)用中取代傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料。
----研究人員制作了一個(gè)碳納米晶體管,他們發(fā)現(xiàn)在25℃時(shí)這種納米管的室溫遷移率大于
100000cm2/V-s,這一舉超越了銻化銦保持了長(zhǎng)達(dá)
48年之久的室溫遷移率紀(jì)錄（原先為77000 cm2/V-s）。目前的硅電腦芯片提供大約1500cm2/V-s的遷移率。
----研究人員對(duì)精確地放置了金屬線的長(zhǎng)碳納米管進(jìn)行了測(cè)量。納米管的實(shí)測(cè)長(zhǎng)度為0.3mm（大約是其直徑的
100000倍）,這比以前所研究的納米管長(zhǎng)100倍。
----納米管是直接生長(zhǎng)在平坦的硅芯片上的。由于很難將納米管固定在芯片上以便與導(dǎo)線相連,因此開(kāi)發(fā)了一種采用掃描電子顯微鏡的特殊工藝。
----在納米管最終取代電腦芯片之前還有許多難題有待解決。研究人員需要找到一種方法來(lái)控制納米管與金屬電極之間的接觸
電阻。他們還在研究納米管必需如何精確地放置在襯底上。
----如欲了解更多信息,請(qǐng)與馬里蘭大學(xué)的Lee Tune聯(lián)系,電話是001-
301-405-4679,電子信箱是ltune@
umd.edu或與該校的Karrie Sue Hawbaker聯(lián)系,
