選擇LDO的方法
輸入、輸出以及降低電壓
首先要選擇輸入電壓范圍可以適應電源的LDO。表1列出了便攜式設(shè)備所采用的流行電池的電壓范圍。
在確定 LDO 是否能夠提供預期輸出電壓時,需要考慮其壓降。輸入電壓必須大于預期輸出電壓與特定壓降之和,即 VIN >VOUT + VDROPOUT。如果 VIN 降低至必需的電壓以下,則我們說 LDO 出現(xiàn)“壓降”,輸出等于輸入減去旁路元件 (pass element) 的 RDS(on) 乘以負載電流。
需要注意壓降時的性能變化。驅(qū)動旁路晶體管的誤差放大器完全打開或者出于“待發(fā)狀態(tài)”(cocked),因此不產(chǎn)生任何環(huán)路增益。這意味著線路與負載調(diào)節(jié)性能很差。另外,PSRR 在壓降時也會顯著降低。
選用可提供預期輸出電壓的 LOD 作為節(jié)省外部電阻分壓器成本與空間的固定選項,外部電阻分壓器一般用于設(shè)置可調(diào)器件的輸出電壓。利用可調(diào) LDO 可以設(shè)置輸出,以提供內(nèi)部參考電壓,其一般為 1.2V 左右,只需把輸出連接到反饋引腳。請與廠商確認是否具備該功能。
負載電流要求
考慮負載需要的電流量并據(jù)此選擇 LDO。請注意,比如額定電流為150mA 的 LDO 可能會在短時間內(nèi)提供高出很多的電流。請查驗最低輸出電流限值規(guī)范,或者咨詢有關(guān)廠商。
封裝與功耗
便攜式應用本身存在空間限制,因此解決方案的大小至關(guān)重要。裸片可以最小化尺寸,但是缺乏封裝的諸多優(yōu)勢,如保護、行業(yè)標準以及能夠被現(xiàn)有裝配架構(gòu)輕松采用等特性。芯片級封裝 (CSP) 能在提供裸片的尺寸優(yōu)勢的同時還可以帶來封裝的許多優(yōu)勢。
在無線手持終端市場需求的推動下,CSP產(chǎn)品正不斷推陳出新。例如,采用0.84mm×1.348mm CSP的德州儀器200mARFLDO于2003年9月份上市,其采用可輕松裝配的高板級可靠性的技術(shù)。其他小型封裝包括流行的3mm×3mmSOT-23、小型2.13mm×2.3mm SC-70,以及亞1毫米高度封裝 (sub-1-mm-height package)、ThinSOT及無引線四方扁平封裝 (QFN)。由于在下側(cè)采用了能夠在器件與PC板之間建立高效散熱接觸的散熱墊,QFN 因而可提供更好的散熱特性。
請注意不要超過封裝的最大功耗額定值。功耗可以采用PDISSIPATION = (VIN-VOUT)/(IOUT + IQ) 進行計算。一般來說,封裝尺寸越小,功耗越小。但是QFN封裝可以提供極佳的散熱性能,這種性能完全可與尺寸是其1.5～2倍的眾多封裝相媲美。
