IEDM大會展現微米/納米電子技術方面的進步
此次年會上一篇有關電子皮膚的論文有些不同凡響,這種電子皮膚能夠讓機器人的手臂產生觸覺。日本東京大學的研究人員通過在一張柔性塑料片上制作一個大面積壓力傳感器矩陣的方法（即把高質量的有機晶體管和橡膠壓力傳感器集成在一起）完成了這一令人矚目的創(chuàng)舉。
讓許多參會公司和研究人員感到興奮的另一個主題是應變硅,這是一種適合于采用CMOS工藝來制作更加可靠晶體管的材料。來自Taiwan Semiconductor公司（位于中國TW新竹）的一個研究小組介紹了采用在一個專門為使其晶格能夠正好適合硅應變的SiGe緩沖層上生長硅的方法來制造柵極寬度為60nm的晶體管的工藝。
來自Taiwan Semiconductor公司的另一個研究小組還論述了采用應變工藝來改進包含多個先進元件的65nm絕緣體上硅（SOI）工藝的方法。IBM公司（位于美國紐約Hopewell Junction）撰寫的一篇論文探討了采用極富創(chuàng)新精神的尺寸壓縮和應變工藝來制作選通脈沖寬度為45nm的高性能邏輯器件的相關工藝。
在存儲器領域,來自Infineon公司（位于德國Erlangen）的一個研究小組采用夾在一個簡單交叉點陣列的兩組電極之間的有機層制成了一種存儲器芯片。當電流加到電極上時,有機層的狀態(tài)將發(fā)生改變。
東京技術研究院（位于日本東京）的一位研究人員就把鐵電材料用作CMOS晶體管的柵極電介質的可能性做了專題報告。這種器件在具有暫存器的閉鎖電路中是有用武之地的。
康奈爾大學（位于美國紐約州Ithaca）的另一位研究人員論述了近來在開發(fā)基于少數電子的運動的存儲器方面所取得的進展,對相關的基礎物理學以及技術上的權衡折衷進行了研究。
三星半導體公司（位于韓國Kyoungki-do）對迄今為止最小的40GB NAND型快閃存儲單元的制作工藝做介紹,該工藝采用了70nm設計規(guī)則。
此次會議的其他重點論文對目前人們頗感興趣的、采用廉價有機材料來制作晶體管和電路加以探討。加利福尼亞大學（位于美國加利福尼亞州伯克利）的研究人員說明了直接采用纖維來制作并五苯晶體管的方法。這種晶體管的制作并非采用傳統(tǒng)石版印刷術,而是通過過編織纖維（overwoven fibers）的掩膜來形成圖案（見圖6）。據稱該工藝與紡織品的制造工藝是兼容的。
在其他的開發(fā)項目中,來自Infineon Technologies的一個研究小組介紹一種具有超薄自合成分子單層柵極電介質和并五苯通道的薄膜晶體管。最終制成的器件將采用2V的工作電壓。來自漢城國立大學（位于韓國漢城）的另一個研究小組介紹他們是如何在可接受的150℃加工溫度下采用激發(fā)態(tài)激光退火和特殊介電常數耦合等離子體氣相沉積工藝來在塑料上制作硅
