圖形應(yīng)用軟件對(duì)親臨其境般的清晰度和動(dòng)感的追求,使存儲(chǔ)器和圖形系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員不斷面臨更高的性能要求。圖形存儲(chǔ)系統(tǒng)的帶寬從1996年的每秒大約550兆字節(jié)增加到2002年的每秒大約20千兆字節(jié),與個(gè)人計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器和大多數(shù)其他消費(fèi)電子產(chǎn)品的帶寬要求相比,這是簡(jiǎn)直飛躍一般的增長。現(xiàn)在我們可以期望,高檔圖形存儲(chǔ)器的帶寬今年將超過35千兆字節(jié),明年將超過44千兆字節(jié)。要實(shí)現(xiàn)這樣高性能水準(zhǔn)的存儲(chǔ)器設(shè)計(jì),必須具備設(shè)計(jì)創(chuàng)新、使用簡(jiǎn)便、擁有
圖形應(yīng)用軟件對(duì)親臨其境般的清晰度和動(dòng)感的追求,使存儲(chǔ)器和圖形系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員不斷面臨更高的性能要求。
圖形存儲(chǔ)系統(tǒng)的帶寬從1996年的每秒大約
550兆字節(jié)增加到
2002年的每秒大約20千兆字節(jié),與個(gè)人計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器和大多數(shù)其他消費(fèi)電子產(chǎn)品的帶寬要求相比,這是簡(jiǎn)直飛躍一般的增長。現(xiàn)在我們可以期望,高檔圖形存儲(chǔ)器的帶寬今年將超過35千兆字節(jié),明年將超過44千兆字節(jié)。要實(shí)現(xiàn)這樣高性能水準(zhǔn)的存儲(chǔ)器設(shè)計(jì),必須具備設(shè)計(jì)創(chuàng)新、使用簡(jiǎn)便、擁有足夠性能凈空等特點(diǎn)。
鑒于圖形處理永無止境的速度要求,圖像應(yīng)用市場(chǎng)將成為圖形DDR（GDDR3）的第一個(gè)目標(biāo)市場(chǎng)。進(jìn)而,其他一些剛剛出現(xiàn)的高速點(diǎn)到點(diǎn)消費(fèi)者應(yīng)用產(chǎn)品（如HDTV）也將獲益于GDDR3的卓越性能。
GDDR3的規(guī)格是領(lǐng)先的圖形應(yīng)用和存儲(chǔ)器公司的系統(tǒng)和存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)人員為了達(dá)到500 MHz以上時(shí)鐘頻率的臨界系統(tǒng)要求而共同努力的結(jié)果。這種合作加強(qiáng)了多來源能力,促進(jìn)了市場(chǎng)對(duì)產(chǎn)品的接受。
GDDR3的設(shè)計(jì)是用基準(zhǔn)DDR2技術(shù)提供一種創(chuàng)新的、系統(tǒng)友好的組件,以此達(dá)到高速點(diǎn)到點(diǎn)應(yīng)用所需的額外帶寬。但是,普通的基準(zhǔn)DDR2功能本身是不能達(dá)到所需帶寬的。在極端的頻率處理數(shù)據(jù),需要特別注意速度和信號(hào)完整性影響因素的細(xì)節(jié)。因此,速度限制功能或者被取消,或者被強(qiáng)化。
以下特征可以最大程度地提高信號(hào)完整性,使在實(shí)際系統(tǒng)環(huán)境中高速操作成為可能。
● 電壓水平：以0.11μm 的設(shè)計(jì)規(guī)則,1.8V 的核芯和輸入/輸出電壓,取得最大速度和最小功耗。
● 輸入/輸出接口：輸入/輸出接口使用一個(gè)通過芯片內(nèi)終止而終止到VDDQ的推拉式驅(qū)動(dòng)器。低-高轉(zhuǎn)換實(shí)現(xiàn)源終止。這樣可以充分降低個(gè)人計(jì)算機(jī)功耗,因?yàn)橹挥性隍?qū)動(dòng)邏輯低電平時(shí)耗電。此接口還簡(jiǎn)化了數(shù)據(jù)時(shí)鐘化,因?yàn)樗腥龖B(tài)信號(hào)都會(huì)自然浮動(dòng)到一個(gè)已知的邏輯1狀態(tài)。
● 輸出驅(qū)動(dòng)器校準(zhǔn)：此功能使驅(qū)動(dòng)器阻抗與系統(tǒng)相匹配。輸出阻抗在
電源接通時(shí)依據(jù)一個(gè)外部精密
電阻器進(jìn)行校準(zhǔn),當(dāng)不進(jìn)行讀取時(shí),將在所有自動(dòng)刷新和
NOP命令過程中進(jìn)行更新。此功能可使設(shè)備在處理過程中透明化地補(bǔ)償電壓和溫度變化,產(chǎn)生非常穩(wěn)定的線性驅(qū)動(dòng)特征。
● 芯片內(nèi)終止(ODT)：芯片內(nèi)終止通過單負(fù)荷或雙負(fù)荷DQ設(shè)置使用60Ω/
120Ω、雙負(fù)荷或四負(fù)荷尋址/控制設(shè)置使用120Ω/
240Ω而加強(qiáng)信號(hào)的完整性。芯片將監(jiān)控總線的讀取命令。如果發(fā)現(xiàn)一個(gè)讀取命令,設(shè)備將禁用輸入/輸出終止功能。實(shí)際終止值將被更新,以便在輸出驅(qū)動(dòng)器被校準(zhǔn)的同時(shí)消除電壓和溫度變化。
● 單端讀寫數(shù)據(jù)選通：讀寫使用單端選通,可使總線回轉(zhuǎn)更快,并降低碼間干擾（ISI）。
● 供應(yīng)商標(biāo)識(shí)號(hào)和芯片修訂號(hào)：如果選擇此選項(xiàng),可將設(shè)備的供應(yīng)商標(biāo)識(shí)號(hào)和芯片修訂號(hào)驅(qū)動(dòng)到DQ位0-7上。這樣可以根據(jù)板上安裝的設(shè)備的供應(yīng)商標(biāo)識(shí)和芯片修訂號(hào)進(jìn)行客戶化,從而增加用戶的靈活性。
GDDR3的設(shè)計(jì)以基本功能為基礎(chǔ),但提供業(yè)界領(lǐng)先的性能。普通樣品制造和批量生產(chǎn)的預(yù)定時(shí)間分別為
2003年第3季度和第4季度。歡迎您深入了解此激動(dòng)人心的新技術(shù)。您可在美光網(wǎng)站查閱關(guān)于GDDR3的技術(shù)說明和DesignLine刊物,網(wǎng)址是：。
（美光公司供稿）
