美國(guó)半導(dǎo)體廠商Xanoptix公司開發(fā)了一個(gè)把Si和GaAs或InP三維堆疊制造復(fù)合半導(dǎo)體的圓片級(jí)工藝。該公司的這項(xiàng)混合集成電路技術(shù)將帶來(lái)把豐富多樣的硅芯片設(shè)計(jì)和高速材料或光半導(dǎo)體的高級(jí)能力結(jié)合在一起的器件。該技術(shù)采用高密度互連陣列實(shí)現(xiàn)芯片的三維堆疊,同時(shí)還可以大大提高器件功能和密度并降低成本。通過(guò)采用一系列獨(dú)特的集成和后處理工序確保堆疊材料良好附著,該公司現(xiàn)在能把數(shù)千只普通硅器件（如無(wú)線電收發(fā)器、網(wǎng)絡(luò)處理器和DRAM
美國(guó)半導(dǎo)體廠商Xanoptix公司開發(fā)了一個(gè)把
Si和GaAs或
InP三維堆疊制造復(fù)合半導(dǎo)體的圓片級(jí)工藝。該公司的這項(xiàng)混合集成電路技術(shù)將帶來(lái)把豐富多樣的硅芯片設(shè)計(jì)和高速材料或光半導(dǎo)體的高級(jí)能力結(jié)合在一起的器件。
該技術(shù)采用高密度互連陣列實(shí)現(xiàn)芯片的三維堆疊,同時(shí)還可以大大提高器件功能和密度并降低成本。通過(guò)采用一
系列獨(dú)特的集成和后處理工序確保堆疊材料良好附著,該公司現(xiàn)在能把數(shù)千只普通硅器件（如無(wú)線電收發(fā)器、網(wǎng)絡(luò)處理器和DRAM等）同激光器、檢測(cè)器和晶體管組合在一起。新芯片制造方法還提供了比目前的工藝高幾個(gè)數(shù)量級(jí)的芯片間I/O密度,消除了芯片的I/O瓶頸限制。
Xanoptix不久將推出采用這項(xiàng)技術(shù)的第一批產(chǎn)品——XTM系列光收發(fā)器,該系列產(chǎn)品有極低的形狀因數(shù)和每千兆帶寬成本。該器件含有最多36個(gè)發(fā)送信道和36個(gè)接收信道,以每信道最高3.4Gb/s的速度異步工作。
該公司還開發(fā)了一個(gè)相關(guān)封裝技術(shù)并提供技術(shù)使用許可,該技術(shù)用于制造高密度
MT形狀因數(shù)套圈,每個(gè)
連接器最高支持72條
光纖。以前的MT型連接器最高只能支持
24條光纖。
