位于日本東京的NEC公司開(kāi)發(fā)出了一種能夠在不犧牲布線性能的情況下提高下一代LSI電路中銅布線的可靠性的納米工藝。該工藝包括兩個(gè)部分：即在通孔連接界面上插入一層超薄的鈦（Ti）薄膜,以及采用氟化碳氮化物（FCN）薄膜來(lái)解決長(zhǎng)期困擾半導(dǎo)體制造商的一個(gè)難題,就是在0.1μm以下的多層布線中出現(xiàn)的可靠性下降。當(dāng)把鈦薄膜加到位于銅布線之間的芯片頂層和底層時(shí),它起膠合劑的作用,可將由應(yīng)力造成的位移,以及通常與密封裝置中的通孔破裂
位于日本東京的
NEC公司開(kāi)發(fā)出了一種能夠在不犧牲布線性能的情況下提高下一代
LSI電路中銅布線的可靠性的納米工藝。該工藝包括兩個(gè)部分：即在通孔連接界面上插入一層超薄的鈦（
Ti）薄膜,以及采用氟化碳氮化物（
FCN）薄膜來(lái)解決長(zhǎng)期困擾半導(dǎo)體制造商的一個(gè)難題,就是在0.1μm以下的多層布線中出現(xiàn)的可靠性下降。
當(dāng)把鈦薄膜加到位于銅布線之間的芯片頂層和底層時(shí),它起膠合劑的作用,可將由應(yīng)力造成的位移,以及通常與密封裝置中的通孔破裂相關(guān)聯(lián)的電遷移減小93%。該工藝通過(guò)減小應(yīng)力和抑制銅遷移的方法在銅通孔處實(shí)現(xiàn)了更強(qiáng)的鍵合。
Ti的表面
電阻比傳統(tǒng)的Ta/TaN高8%,它具有一個(gè)低可溶性極限值,使得通路電阻下降了25%。該工藝未導(dǎo)致銅電阻性能的劣化,并具有有助于保持電路穩(wěn)定性的低擴(kuò)散率。
