去年,模擬線路和混合信號集成電路的開發(fā)仍然是沿著產(chǎn)業(yè)界的要求:縮小體積,降低成本和減少功率消耗在進(jìn)行。在模擬集成電路產(chǎn)品中,Analog Devices公司(位于馬塞諸塞州的Norwood)提供的AD855x/857x自動歸零運(yùn)算放大器(參看《今日電子》 1999第9期,p43)比較出色,是3到5V運(yùn)放中精度最高的品種。當(dāng)供應(yīng)批量超過1000只時,每只的價格為1.14美元,比同類的相當(dāng)產(chǎn)品低50%。器件的精度超過20位,在 - 40~125℃的溫度范圍內(nèi),電壓漂移不超過1μV。
----這些運(yùn)算放大器的噪音也很低,無1 / f噪音,過載后恢復(fù)也很快(最大約為200~250μs)。輸入和輸出均可滿量程下運(yùn)行。
----Microtune公司(位于美國得克薩斯州的Plano)推出的微調(diào)諧器Microtuner(本刊去年第5期,p36)是一種集成化的寬頻帶TV調(diào)諧器用IC,它的體積比現(xiàn)有的分立器件小,而且不需要人工調(diào)整。它可以用于有線電視作雙變頻調(diào)諧器,也適合應(yīng)用于廣播電視作一次變頻調(diào)諧器。它還具有選擇性高,鏡像抑制性能好,和阻抗匹配性能好等優(yōu)點(diǎn)。
----在比較器一類的產(chǎn)品中,Linear Technology公司(位于美國加州的Milpitas)開發(fā)的高壓絕緣的儀器用比較器LTC1531(見本刊去年第5期,p35)以其自置供電線路和采用SSOP封裝為特色。它的電容絕緣隔離可以耐受3000Vrms的電壓。供電的一側(cè),還具有鎖存的數(shù)據(jù)輸出端和一個脈沖零交叉電平的輸出端。
----在分立半導(dǎo)體器件方面,仙童半導(dǎo)體公司(位于美國加州Sunnyvale)宣布的FDC6306P雙p-溝道功率MOSFET(參看Electronic Products, June 1999, p. 76),在同樣封裝大小的同類器件中具有最小的導(dǎo)通電阻RDS(ON)。FDC6306P在VGS = - 4.5 V和ID = - 1.9 A時,導(dǎo)通電阻最大不超過160mΩ;在VGS = - 2.5 V和ID = - 1.7 A 時,最大不超過230mΩ。2.5V的MOSFET是封裝在公司自己開發(fā)的Super-SOT-6封裝中。
----該器件的最大額定數(shù)值有以下幾項(xiàng):VDSS = - 20 V ;VGSS = ± 8V ;連續(xù)ID = - 1.9 A ;脈沖ID = -5 A 。柵極電荷的典型值為3nC。
----VishaySiliconix公司(位于美國加州的Santa Clara)推出的Si4430DY的n-溝道MOSFET(參看本刊去年第5期,P.34)導(dǎo)通電阻減低到4mΩ,封裝采用8引出端的SOP封裝。該MOSFET的工作電流可達(dá) 28 A , 耗散功率可達(dá)3.75