磁芯存儲器有跡象東山再起
---- 寫入脈沖經由封閉的導體繞過磁柱體,根據(jù)導通電流的方向在存儲體上寫入1或0。位于磁柱體上方或下方的敏感元件可以無損地讀出單元內存儲的數(shù)據(jù)。
---- 猶他大學（位于美國猶他州鹽湖城）的開發(fā)工作尚處于早期階段;制成了一個可供測試的8-位器件。每位都可以分別讀或寫,已經顯示具有不揮發(fā)性。目前尚不清楚在8位可能排列的陣列中周圍狀態(tài)產生的影響情況如何。但是目前顯示的準確無誤的操作,已經足夠鼓舞參與人員繼續(xù)進行下一步的工作。
---- 該公司宣稱此項技術具有成本低的優(yōu)點,如果要取代DRAM和SRAM,低成本是不可缺少的條件。但是該公司又說,進入市場的第一個產品將是小容量的不揮發(fā)存儲器,可以取代蜂窩電話中使用的串接閃存和EEPROM。從這里可以看出實際的制造工藝尚未確定。
---- 雖然有許多種鐵磁材料可以在開發(fā)中進行試驗。但是磁化的物理機制可以使設計規(guī)則訂得較小的材料,很明顯具有優(yōu)勢。因此材料的均勻一致性如何是選擇材料的一項重要指標。雖然寫入的方式尚不清楚,估計將和磁芯所用的方式類似。即在行和列的寫入線中通過的脈沖同向,且超過閾值則使單元翻轉;如果僅在一側有脈沖流過則對狀態(tài)不產生影響。
---- 所希望開發(fā)的單元在寫入方式上和其它機制不同之處,在于除了在x和y方向有寫入線以外,在對角線上還有寫入線。這在進行處理和訪問時都增加了麻煩。
---- 開發(fā)中遇到的另一個問題是關于敏感器的特性。該公司在網頁上宣告猶他大學的猶他實驗室已經開發(fā)成功一種新型的敏感器。推測可能是采用霍爾效應或靜磁原理。這一部分是和磁芯存儲器（它檢測單元的狀態(tài)是將它翻轉）不同的。
---- Magram能否實現(xiàn)其預期的使命將取決于制造的可能性。如果在密度方面能作得和DRAM不相上下,就應該能達到相同的性能。如欲進一步了解關于Micromem的信息,請訪問
