---在最近美國夏威夷舉行的本年度VLSI電路學術研討會上,Infineon公司（位于德國慕尼黑）推出了世界上首個16Mb磁阻RAM（MRAM）樣品。這項由該公司與IBM公司（位于美國加利福尼亞州圣何塞）歷經數(shù)年共同開發(fā)而成（見《ElectronicsProducts》2001年8月刊第24頁）、并于最近轉讓給上述兩家公司的合資企業(yè)Aldis（位于法國Essonnes）的MRAM技術突破了非易失性存儲器在速度、功率以及密度方面的局限性,因而有可能在未來的幾年之內引發(fā)計算
---在最近美國夏威夷舉行的本年度VLSI電路學術研討會上,Infineon公司（位于德國慕尼黑）推出了世界上首個
16Mb磁阻RAM（MRAM）樣品。這項由該公司與
IBM公司（位于美國加利福尼亞州圣何塞）歷經數(shù)年共同開發(fā)而成（見《Electronics Products》
2001年8月刊第
24頁）、并于最近轉讓給上述兩家公司的合資企業(yè)Aldis（位于法國Essonnes）的MRAM技術突破了非易失性存儲器在速度、
功率以及密度方面的局限性,因而有可能在未來的幾年之內引發(fā)計算機工業(yè)的一次革命。
---與傳統(tǒng)的計算機芯片不同,MRAM芯片是采用磁化（而不是電荷）來存儲信息的。不過,MRAM芯片中的信息在系統(tǒng)
電源被移開之后仍然保持完整。
