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瑞薩公布新策略 預(yù)計(jì)達(dá)成兩位數(shù)平均年成長率
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瑞薩公布新策略 預(yù)計(jì)達(dá)成兩位數(shù)平均年成長率  2012/3/1
瑞薩電子近日發(fā)表其強(qiáng)化功率半導(dǎo)體事業(yè)之新策略。瑞薩電子功率半導(dǎo)體事業(yè)規(guī)模約占該公司三大核心事業(yè)群中類比及功率半導(dǎo)體(A&P)事業(yè)部門的四分之一。瑞薩電子計(jì)劃采取以下策略:(1)強(qiáng)化從低電壓至高電壓功率半導(dǎo)體之產(chǎn)品內(nèi)容瑞薩電子將進(jìn)一步強(qiáng)化2010年4月NEC電子與瑞薩科技合并所實(shí)現(xiàn)的廣大產(chǎn)品內(nèi)容,擴(kuò)大從低電壓至高電壓的產(chǎn)品。瑞薩電子將在2013年3月以前開發(fā)約1,000項(xiàng)新產(chǎn)品,其中,在低電壓半導(dǎo)體方面包括了低電壓功率

    瑞薩電子近日發(fā)表其強(qiáng)化功率半導(dǎo)體事業(yè)之新策略。瑞薩電子功率半導(dǎo)體事業(yè)規(guī)模約占該公司三大核心事業(yè)群中類比及功率半導(dǎo)體(A&P)事業(yè)部門的四分之一。

瑞薩電子計(jì)劃采取以下策略:

(1)強(qiáng)化從低電壓至高電壓功率半導(dǎo)體之產(chǎn)品內(nèi)容

    瑞薩電子將進(jìn)一步強(qiáng)化2010年4月NEC電子與瑞薩科技合并所實(shí)現(xiàn)的廣大產(chǎn)品內(nèi)容,擴(kuò)大從低電壓至高電壓的產(chǎn)品。瑞薩電子將在2013年3月以前開發(fā)約1,000項(xiàng)新產(chǎn)品,其中,在低電壓半導(dǎo)體方面包括了低電壓功率MOSFET及基本智慧功率半導(dǎo)體(IPD);在高電壓半導(dǎo)體方面則包括了高電壓功率MOSFET、絕緣閘雙極性晶體管(IGBT),及雙向硅控整流器(TRIAC)。

(2)強(qiáng)化中國的銷售結(jié)構(gòu)

    瑞薩電子將于中國推出全新的部門營銷結(jié)構(gòu)。包括設(shè)立四個(gè)銷售團(tuán)隊(duì),分別是家用設(shè)備、汽車、工業(yè)、及電池管理,A&P事業(yè)部門將與瑞薩電子中國分公司當(dāng)?shù)氐钠髣�、開發(fā)部門共同合作,開發(fā)中國專屬的產(chǎn)品。瑞薩電子的中國營銷人員人數(shù)亦將比2010會(huì)計(jì)年度開始時(shí)增加一倍,并計(jì)劃實(shí)時(shí)供應(yīng)最符合中國市場(chǎng)需求的產(chǎn)品。瑞薩電子預(yù)期2012會(huì)計(jì)年度的中國銷售額將可增加為2010會(huì)計(jì)年度的1.5倍。

(3)擴(kuò)大產(chǎn)能

    瑞薩電子將同時(shí)強(qiáng)化其前段及后段制程生產(chǎn)線結(jié)構(gòu),包括將8吋晶圓廠生產(chǎn)線產(chǎn)能自2010至2012會(huì)計(jì)年度增加一倍,并提升馬來西亞兩座工廠的產(chǎn)能,同時(shí)透過中國的轉(zhuǎn)包商擴(kuò)大日本以外的生產(chǎn)。

    透過上述策略,該公司預(yù)期2012會(huì)計(jì)年度A&P事業(yè)的年銷售額將達(dá)到2010會(huì)計(jì)年度的1.2倍(2009會(huì)計(jì)年度的1.6倍),并持續(xù)達(dá)成兩位數(shù)的平均年成長率,目標(biāo)是成為全球功率半導(dǎo)體之領(lǐng)導(dǎo)供應(yīng)商。

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