Ramtron推出高速和低電壓的F-RAM存儲器
RamtronInternational Corporation宣布推出新型F-RAM系列中的首款產(chǎn)品，具有高速讀/寫性能、低電壓工作和可選器件的特性。Ramtron的V系列F-RAM產(chǎn)品的首款器件FM25V10，是1兆位(Mb)、2.0至3.6V、具有串行外設(shè)接口(SPI)的非易失性RAM，采用8腳SOIC封裝，其特點是快速訪問、無延遲(NoDelay?)寫入、1E14讀/寫次數(shù)和低功耗。FM25V10是工業(yè)控制、計量、醫(yī)療、汽車、軍事、游戲及計算機等應(yīng)用領(lǐng)域1Mb串行閃存和串行EEPROM存儲器的理想代替產(chǎn)品。此外，Ramtron已計劃在2008年陸續(xù)推出SPI、I
Ramtron市場拓展經(jīng)理Duncan Bennett解釋道：“我們的V系列F-RAM產(chǎn)品能夠滿足客戶對低工作電壓及集成功能的需求，比如說減小板卡空間及降低裝配成本和器件成本。我們的高密度F-RAM生產(chǎn)工藝已經(jīng)擴展了產(chǎn)品的性能特性，使到V系列F-RAM產(chǎn)品可在很寬泛的電壓范圍工作�！�
關(guān)于FM25V10
與串行閃存或串行EEPROM不同，F(xiàn)M25V10以總線速度執(zhí)行寫操作，無寫入延遲，且數(shù)據(jù)能夠立即寫入存儲器陣列。無需進行數(shù)據(jù)輪詢即可開始下一個總線周期。相比串行閃存和串行EEPROM，F(xiàn)M25V10的耐用性高出8個數(shù)量級以上，所消耗的有效功率卻不到其十分之一。
FM25V10具有高性能F-RAM功能，適用于要求頻繁或快速數(shù)據(jù)寫入或低功耗操作的非易失性存儲器應(yīng)用，應(yīng)用范圍從需要寫入次數(shù)多的高頻數(shù)據(jù)采集應(yīng)用，到嚴苛的工業(yè)控制應(yīng)用。而在這些應(yīng)用中，串行閃存或EEPROM因為潛在的數(shù)據(jù)丟失風(fēng)險，而并不適用。
FM25V10具有一個只讀器件ID，可以通過一個獨一無二的序列號和/或系統(tǒng)重置選項來命令它。器件ID提供有關(guān)制造商、產(chǎn)品密度和產(chǎn)品版本的信息。獨特的序列號使主機擁有一個ID，以區(qū)別于世界上任何其它主機。系統(tǒng)重置選項可省去對外部系統(tǒng)重置部件的需要。
