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Vishay推出8V~30V 的P通道功率MOSFET
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Vishay推出8V~30V 的P通道功率MOSFET  2012/3/1
2008年8月21日,VishayIntertechnology,Inc.宣布推出采用PowerPAKSC-75封裝的p通道功率MOSFET系列,該系列包括額定電壓介于8V~30V的多個(gè)器件,這些是采用此封裝類(lèi)型的業(yè)界首批具有上述額定電壓的器件。日前推出的這些器件包括業(yè)界首款采用PowerPAKSC-75封裝的-12V(SiB419DK)及-30V(SiB415DK)單p通道功率MOSFET。先前宣布推出的SiB417DK為首款-8V的此類(lèi)器件,目前此類(lèi)器件又增添了具有-8V相同額定電壓的ESD保護(hù)版本SiB417EDK。這兩

st="on" IsROCDate="False" IsLunarDate="False" Day="21" Month="8" Year="2008">2008年8月st1:chsdate>21日,Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出采用PowerPAK SC-75封裝的p通道功率MOSFET系列,該系列包括額定電壓介于8V~30V的多個(gè)器件,這些是采用此封裝類(lèi)型的業(yè)界首批具有上述額定電壓的器件。

 

 

 

日前推出的這些器件包括業(yè)界首款采用PowerPAK SC-75封裝的-12V (SiB419DK)及-30V (SiB415DK)單p通道功率MOSFET。先前宣布推出的SiB417DK為首款-8V的此類(lèi)器件,目前此類(lèi)器件又增添了具有-8V相同額定電壓的ESD保護(hù)版本SiB417EDK。這兩款8V器件均包含低至VGS = 1.2V的導(dǎo)通電阻規(guī)格,由于無(wú)需電平位移電路,因此可使設(shè)計(jì)人員降低空間要求、功耗及解決方案成本。這些新產(chǎn)品還包括兩款-20V器件 - 單通道SiB411DK與雙通道SiB911DK。在4.5V柵極驅(qū)動(dòng)時(shí)單通道器件的導(dǎo)通電阻范圍介于0.052歐姆~0.066歐姆。

 

Vishay Siliconix PowerPAK SC-75功率MOSFET的尺寸為1.6mm×1.6mm×0.75mm—與標(biāo)準(zhǔn)SC-75的尺寸相同—但導(dǎo)通電阻更低,因?yàn)槠洳捎每稍谙嗤嘉幻娣e中容納更大片芯的構(gòu)造。除通過(guò)節(jié)能實(shí)現(xiàn)環(huán)保外,PowerPAK SC-75還100%無(wú)鉛(Pb)、無(wú)鹵素,并且符合RoHS,因此符合消除有害物質(zhì)的國(guó)際法規(guī)的要求。

 

新型PowerPAK SC-75器件為尋求在功能日益增多的便攜式電子系統(tǒng)中節(jié)約空間并降低功耗的設(shè)計(jì)人員提供了新的微型封裝選擇。為滿(mǎn)足消費(fèi)者對(duì)電池充電間隔間的電池運(yùn)行

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