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     Vishay推出新型25V N信道組件SiR476DP，擴(kuò)展其GenIII TrenchFET功率MOSFET系列，對(duì)于采用PowerPAK SO-8封裝類型且具有該額定電壓的組件而言，該組件具有最低導(dǎo)通電阻以及導(dǎo)通電阻與閘極電荷乘積。

      SiR476DP在4.5V閘極驅(qū)動(dòng)時(shí)最大導(dǎo)通電阻為2.1mΩ，在10V閘極驅(qū)動(dòng)時(shí)最大導(dǎo)通電阻為1.7mΩ。導(dǎo)通電阻與閘極電荷乘積是直流到直流轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中針對(duì)MOSFET的關(guān)鍵優(yōu)值(FOM)，在4.5V時(shí)為89.25nC。

      該公司表示，與為實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通損失及低開關(guān)損失而最佳化的最接近的同類競(jìng)爭(zhēng)組件相較，這些規(guī)格意味著在4.5V及10V時(shí)導(dǎo)通電阻分別低了32%與15%，F(xiàn)OM低了42%。更低的導(dǎo)通電阻與門極電荷可轉(zhuǎn)變成更低的傳導(dǎo)損失及開關(guān)損失。

      Siliconix SiR476DP將在同步降壓轉(zhuǎn)換器以及二級(jí)同步整流及OR-ing應(yīng)用中作為低階MOSFET。其低導(dǎo)通及低開關(guān)損失將使穩(wěn)壓器模塊(VRM)、服務(wù)器及使用負(fù)載點(diǎn)(POL)功率轉(zhuǎn)換的眾多系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)功效更高且更節(jié)省空間的設(shè)計(jì)。

      此外，Vishay還推出新型25V SiR892DP及SiR850DP N通道MOSFET。這些組件在4.5V時(shí)提供4.2mΩ與9mΩ的導(dǎo)通電阻，在10V時(shí)為3.2mΩ及7mΩ，典型閘極電荷為20nC及8.4nC。所有這三款新型功率MOSFET均采用PowerPAK SO-8封裝類型。這些組件無鉛(Pb)、無鹵素，并符合RoHS規(guī)范。

      SiR476DP、SiR892DP及SiR850DP以提供樣品及量產(chǎn)。

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