典型關斷延遲時間 | 27.9 ns | |
典型接通延遲時間 | 2.5 ns | |
典型柵極電荷@Vgs | 9.6 常閉 V @ -5 | |
典型輸入電容值@Vds | 635 pF V @ -40 | |
安裝類型 | 表面貼裝 | |
寬度 | 6.22mm | |
封裝類型 | DPAK | |
尺寸 | 6.73 x 6.22 x 2.39mm | |
引腳數(shù)目 | 3 | |
最低工作溫度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 9.25 W | |
最大柵源電壓 | ±20 V | |
最大漏源電壓 | -70 V | |
最大漏源電阻值 | 0.25 Ω | |
最大連續(xù)漏極電流 | -5.7 A | |
最高工作溫度 | +150 °C | |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 | |
類別 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增強 | |
通道類型 | P | |
長度 | 6.73mm | |
高度 | 2.39mm |