ZXMN10A08GT,ZXMN10A08GT|Diodes/Zetex代理分銷-ZXMN10A08GT原裝現(xiàn)貨,PDF下載
PDF查詢| 典型關斷延遲時間 | 8 ns | |
| 典型接通延遲時間 | 3.4 ns | |
| 典型柵極電荷@Vgs | 7.7 nC V @ 10 | |
| 典型輸入電容值@Vds | 405 pF V @ 50 | |
| 安裝類型 | 表面貼裝 | |
| 寬度 | 3.7mm | |
| 封裝類型 | SOT-223 | |
| 尺寸 | 6.7 x 3.7 x 1.8mm | |
| 引腳數目 | 4 | |
| 最低工作溫度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 3.9 W | |
| 最大柵源電壓 | ±20 V | |
| 最大漏源電壓 | 100 V | |
| 最大漏源電阻值 | 0.3 Ω | |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 2.9 A | |
| 最高工作溫度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件數目 | 1 | |
| 類別 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增強 | |
| 通道類型 | N | |
| 配置 | 雙漏極、單 | |
| 長度 | 6.7mm | |
| 高度 | 1.8mm |
