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ZXMN10A08GT,ZXMN10A08GT|Diodes/Zetex代理分銷-ZXMN10A08GT原裝現(xiàn)貨,PDF下載
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ZXMN10A08GTA
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MOSFET N-CH 100V 2A SOT223

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MOSFET N-CH 100V 2A SOT223

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MOSFET 100V N-Channel 2A MOSFET

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Trans MOSFET N-CH 100V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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Trans MOSFET N-CH 100V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R - Tape and Reel (Alt: ZXMN10A08GTA)

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Trans MOSFET N-CH 100V 2A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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Trans MOSFET N-CH 100V 2A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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N-Channel 100 V 0.25 Ohm Power MOSFET Surface Mount -SOT-223-3

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N-Channel 100 V 0.25 Ohm Power MOSFET Surface Mount -SOT-223-3

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MOSFET Operating temperature: -55...+150 °C Housing type: SOT-223 Polarity: N Variants: Enhancement mode Power dissipation: 2 W

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ZXMN10A08GT
制造商型號： ZXMN10A08GT
制造商： Diodes/Zetex
描述： MOSFET，N溝道，100V，2A，SOT223
技術參考： Rohs PDF查詢
庫存狀態(tài)： 實時庫存查詢  所在地：深圳原厂原裝現(xiàn)貨
備注： 代理銷售世界各大品牌電子元器件，大量原厂原裝正品現(xiàn)貨
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產品信息
典型關斷延遲時間8 ns
典型接通延遲時間3.4 ns
典型柵極電荷@Vgs7.7 nC V @ 10
典型輸入電容值@Vds405 pF V @ 50
安裝類型表面貼裝
寬度3.7mm
封裝類型SOT-223
尺寸6.7 x 3.7 x 1.8mm
引腳數目4
最低工作溫度-55 °C
最大功率耗散3.9 W
最大柵源電壓±20 V
最大漏源電壓100 V
最大漏源電阻值0.3 Ω
最大連續(xù)漏極電流2.9 A
最高工作溫度+150 °C
每片芯片元件數目1
類別功率 MOSFET
通道模式增強
通道類型N
配置雙漏極、單
長度6.7mm
高度1.8mm

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