典型關(guān)斷延遲時間 | 4.9(N 溝道)ns,5.8(P 溝道)ns | |
典型接通延遲時間 | 1.6(P 溝道)ns,1.8(N 溝道)ns | |
典型柵極電荷@Vgs | 3.2 nC V @ 10(N 溝道),5.1 nC V @ -10(P 溝道) | |
典型輸入電容值@Vds | 141 pF @ -50 V(P 溝道),166 pF @ 40 V(N 溝道) | |
安裝類型 | 表面貼裝 | |
寬度 | 4mm | |
封裝類型 | SO | |
尺寸 | 5 x 4 x 1.5mm | |
引腳數(shù)目 | 8 | |
最低工作溫度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 1.36 W | |
最大柵源電壓 | ±20 V | |
最大漏源電壓 | 60(N 溝道)V,-60(P 溝道)V | |
最大漏源電阻值 | 0.35(N 溝道)Ω | |
最大連續(xù)漏極電流 | -1.42(P 溝道)A,1.8(N 溝道)A | |
最高工作溫度 | +150 °C | |
每片芯片元件數(shù)目 | 4 | |
類別 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增強(qiáng) | |
通道類型 | N,P | |
配置 | 四 | |
長度 | 5mm | |
高度 | 1.5mm |