型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
ZXMHC3A01N8TC [更多] | Diodes Incorporated | MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
ZXMHC3A01N8TC [更多] | Diodes Incorporated | MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
ZXMHC3A01N8TC [更多] | Diodes Incorporated | MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
ZXMHC3A01N8TC [更多] | Diodes Incorporated | MOSFET Mosfet H-Bridge 30/-30V 2.7/-2.1A RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
ZXMHC3A01N8TC [更多] | Diodes Incorporated | Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.72A/2.06A 8-Pin SO T/R - Tape and Reel (Alt: ZXMHC3A01N8TC) RoHS: Not Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
ZXMHC3A01N8TC [更多] | Zetex / Diodes Inc | Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.72A/2.06A Automotive 8-Pin SO T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
ZXMHC3A01N8TC [更多] | Zetex / Diodes Inc | Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.72A/2.06A Automotive 8-Pin SO T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
ZXMHC3A01N8TC [更多] | Zetex / Diodes Inc | Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.72A/2.06A Automotive 8-Pin SO T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
ZXMHC3A01N8TC [更多] | Diodes Incorporated | Dual N & P Channel 30 V 125 Ohm SMT Enhancement Mode MOSFET H-Bridge - SOIC-8 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
查看库存、价格及货期 |
产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | 操作 | ||
| 制造商零件编号: ZXMHC3A01N8TC 品牌: DiodesZetex 库存编号: 751-5341 | 搜索 |
参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
![]() | Diodes Incorporated MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC 详细描述:Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 30V 2.17A, 1.64A 870mW Surface Mount 8-SOP 型号:ZXMHC3A01N8TC 仓库库存编号:ZXMHC3A01N8DICT-ND 别名:ZXMHC3A01N8DICT | 无铅 | 搜索 |
参考图片 | 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 | 操作 | |
![]() | Diodes Inc MOSFET Dual N/P-Ch 30V 2.72A/2.06A SOIC8 型号:ZXMHC3A01N8TC 仓库库存编号:70438801 | ![]() | 搜索 |
典型關斷延遲時間 | 12.1(P 溝道)ns,6.6(N 溝道)ns | |
典型接通延遲時間 | 1.2(P 溝道)ns,1.7(N 溝道)ns | |
典型柵極電荷@Vgs | 3.9 nC V @ 10(N 溝道),5.2 nC V @ -10(P 溝道) | |
典型輸入電容值@Vds | 190 pF @ 25 V(N 溝道),204 pF @ -15 V(P 溝道) | |
安裝類型 | 表面貼裝 | |
寬度 | 4mm | |
封裝類型 | SO | |
尺寸 | 5 x 4 x 1.5mm | |
引腳數(shù)目 | 8 | |
最低工作溫度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 1.36 W | |
最大柵源電壓 | ±20 V | |
最大漏源電壓 | 30(N 溝道)V,-30(P 溝道)V | |
最大漏源電阻值 | 0.18(N 溝道)Ω,0.33(P 溝道)Ω | |
最大連續(xù)漏極電流 | -2.06(P 溝道)A,2.72(N 溝道)A | |
最高工作溫度 | +150 °C | |
每片芯片元件數(shù)目 | 4 | |
類別 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增強 | |
通道類型 | N,P | |
配置 | 四 | |
長度 | 5mm | |
高度 | 1.5mm |