典型關(guān)斷延遲時間 | 13.1(P 通道)ns,9.6(N 通道)ns | |
典型接通延遲時間 | 2.5(N 通道)ns,2.6(P 通道)ns | |
典型柵極電荷@Vgs | 7 nC @ 10 V(P 溝道),8 nC @ 10 V(N 溝道) | |
典型輸入電容值@Vds | 270 pF @ 25 V(P 溝道),290 pF @ 25 V(N 溝道) | |
安裝類型 | 表面貼裝 | |
寬度 | 3.1mm | |
封裝類型 | MSOP | |
尺寸 | 3.1 x 3.1 x 0.95mm | |
引腳數(shù)目 | 8 | |
最低工作溫度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 1250 mW | |
最大柵源電壓 | ±20 V | |
最大漏源電壓 | 30 V | |
最大漏源電阻值 | 0.135(N 通道)Ω,0.185(P 通道)Ω | |
最大連續(xù)漏極電流 | 2(P 通道)A,2.3(N 通道)A | |
最高工作溫度 | +150 °C | |
每片芯片元件數(shù)目 | 2 | |
類別 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增強(qiáng) | |
通道類型 | N,P | |
配置 | 雙、雙漏極 | |
長度 | 3.1mm | |
高度 | 0.95mm |