典型關(guān)斷延遲時間 | 16 ns | |
典型接通延遲時間 | 2.9 ns | |
典型柵極電荷@Vgs | 12.2 nC @ 10 V | |
典型輸入電容值@Vds | 600 pF @ 25 V | |
安裝類型 | 表面貼裝 | |
寬度 | 4mm | |
封裝類型 | SO8 | |
尺寸 | 5 x 4 x 1.5mm | |
引腳數(shù)目 | 8 | |
最低工作溫度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 2.1 W | |
最大柵源電壓 | ±20 V | |
最大漏源電壓 | 30 (Q1) V, -30 (Q2) V | |
最大漏源電阻值 | 0.065 Ω | |
最大連續(xù)漏極電流 | -4.4 (Q2) A, 5.4 (Q1) A | |
最高工作溫度 | +150 °C | |
每片芯片元件數(shù)目 | 2 | |
類別 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增強 | |
通道類型 | N,P | |
配置 | 雙 | |
長度 | 5mm | |
高度 | 1.5mm |