ZXMC3A17DN8T,ZXMC3A17DN8T|Diodes/Zetex代理分銷-ZXMC3A17DN8T原裝現(xiàn)貨,PDF下載
PDF查詢| 典型關(guān)斷延遲時間 | 16 ns | |
| 典型接通延遲時間 | 2.9 ns | |
| 典型柵極電荷@Vgs | 12.2 nC @ 10 V | |
| 典型輸入電容值@Vds | 600 pF @ 25 V | |
| 安裝類型 | 表面貼裝 | |
| 寬度 | 4mm | |
| 封裝類型 | SO8 | |
| 尺寸 | 5 x 4 x 1.5mm | |
| 引腳數(shù)目 | 8 | |
| 最低工作溫度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 2.1 W | |
| 最大柵源電壓 | ±20 V | |
| 最大漏源電壓 | 30 (Q1) V, -30 (Q2) V | |
| 最大漏源電阻值 | 0.065 Ω | |
| 最大連續(xù)漏極電流 | -4.4 (Q2) A, 5.4 (Q1) A | |
| 最高工作溫度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 2 | |
| 類別 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增強 | |
| 通道類型 | N，P | |
| 配置 | 雙 | |
| 長度 | 5mm | |
| 高度 | 1.5mm |
