典型關(guān)斷延遲時(shí)間 | 5 ns | |
典型接通延遲時(shí)間 | 3.1 ns | |
典型柵極電荷@Vgs | 6.2 nC V @ 4 | |
典型輸入電容值@Vds | 780 V | |
安裝類型 | 表面貼裝 | |
寬度 | 1.47mm | |
封裝類型 | EFLIP | |
尺寸 | 1.47 x 1.47 x 0.2mm | |
引腳數(shù)目 | 4 | |
最大功率耗散 | 1.3 W | |
最大柵源電壓 | ±12 V | |
最大漏源電阻值 | 55 mΩ | |
最高工作溫度 | +150 °C | |
每片芯片元件數(shù)目 | 2 | |
類別 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增強(qiáng) | |
通道類型 | N | |
配置 | 雙漏極 | |
長(zhǎng)度 | 1.47mm | |
高度 | 0.2mm |