典型柵極電荷@Vgs | 20 nC @ 5 V(P 通道) | |
典型輸入電容值@Vds | 1520 pF @ 10 V(P 通道)、93 pF @ 3 V(N 通道) | |
安裝類型 | 表面貼裝 | |
寬度 | 2.4mm | |
封裝類型 | PS | |
尺寸 | 2.9 x 2.4 x 0.8mm | |
引腳數(shù)目 | 8 | |
最低工作溫度 | -55°C | |
最大功率耗散 | 1.96(P 通道)W | |
最大柵源電壓 | ±10(N 通道)V、±8(P 通道)V | |
最大漏源電壓 | 12(P 通道)V、20(N 通道)V | |
最大漏源電阻值 | 0.038(P 通道)Ω、3(N 通道)Ω | |
最大連續(xù)漏極電流 | 0.1(N 通道)A、5.5(P 通道)A | |
最高工作溫度 | +150°C | |
每片芯片元件數(shù)目 | 2 | |
類別 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增強 | |
通道類型 | N,P | |
配置 | 雙 | |
長度 | 2.9mm | |
高度 | 0.8mm |