典型柵極電荷@Vgs | 33 常閉 V @ 5 | |
典型輸入電容值@Vds | 2560 pF V @ 10 | |
安裝類型 | 表面貼裝 | |
寬度 | 2.4mm | |
封裝類型 | PS、高級 SOP | |
尺寸 | 2.9 x 2.4 x 0.8mm | |
引腳數(shù)目 | 8 | |
最低工作溫度 | -55°C | |
最大功率耗散 | 1680 mW | |
最大柵源電壓 | ±12 V | |
最大漏源電壓 | 20 V | |
最大漏源電阻值 | 0.018 Ω | |
最大連續(xù)漏極電流 | 72 A | |
最高工作溫度 | +150°C | |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 | |
類別 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增強 | |
通道類型 | P | |
配置 | 四漏極、單、三源 | |
長度 | 2.9mm | |
高度 | 0.8mm |