TK35E08N1,S1X,TK35E08N1,S1X|Toshiba代理分銷-TK35E08N1S1X原裝現(xiàn)貨,PDF下載
PDF查詢| 數(shù)據(jù)列表 | TK35E08N1 |
|---|---|
| 特色產(chǎn)品 | Silicon N-channel MOSFETSilicon N-channel MOSFET |
| 標準包裝 | 50 |
| 類別 | 分立半導體產(chǎn)品 |
| 家庭 | FET - 單 |
| 系列 | - |
| 包裝 | 管件 |
| FET 類型 | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 功能 | 標準 |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 80V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時） | 55A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值） | 12.2 毫歐 @ 17.5A，10V |
| 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 300µA |
| 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 25nC @ 10V |
| 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 1700pF @ 40V |
| 功率 - 最大值 | 72W |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 封裝/外殼 | TO-220-3 |
| 供應商器件封裝 | TO-220-3 |
| 其它名稱 | TK35E08N1S1X |
