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聲明：圖片僅供參考，請(qǐng)以實(shí)物為準(zhǔn)！

產(chǎn)品信息

	典型柵極電荷@Vgs	30 nC V @ 10
	典型輸入電容值@Vds	1580 pF V @ 10
	安裝類型	通孔
	寬度	4.5mm
	封裝類型	TO-220
	尺寸	10 x 4.5 x 9mm
	引腳數(shù)目	3
	最低工作溫度	-55°C
	最大功率耗散	190000 mW
	最大柵源電壓	±30 V
	最大漏源電壓	600 V
	最大漏源電阻值	0.19 Ω
	最大連續(xù)漏極電流	20 A
	最高工作溫度	+150°C
	每片芯片元件數(shù)目	1
	類別	功率 MOSFET
	通道模式	增強(qiáng)
	通道類型	N
	配置	單
	長(zhǎng)度	10mm
	高度	9mm

手機(jī)網(wǎng)站相關(guān)詳細(xì)信息：TK20D60T(Q
旗下站點(diǎn)www.szcwdz.cn相關(guān)詳細(xì)信息: TK20D60T(Q
旗下站點(diǎn)lnwkt.cn.cn相關(guān)詳細(xì)信息: 暫無相關(guān)型號(hào)

詢價(jià)

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• *所需產(chǎn)品：
• 型號(hào): TK20D60T(Q 品牌: Toshiba 備注: 分立,功率MOSFET,TK20D60T(Q),N0V,20A,TO220

• *聯(lián)系人：

• *聯(lián)系電話：

• *電子郵箱：

• 備注內(nèi)容：

  

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