數(shù)據(jù)列表 | TK12P60W |
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標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 2,000 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | - |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 超級(jí)結(jié) |
漏源極電壓 (Vdss) | 600V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時(shí)) | 11.5A (Ta) |
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值) | 340 毫歐 @ 5.8A, 10V |
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) | 3.7V @ 600µA |
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) | 25nC @ 10V |
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) | 890pF @ 300V |
功率 - 最大值 | 100W |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 |
供應(yīng)商器件封裝 | DPAK |
其它名稱 | TK12P60WRVQTR |