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聲明：圖片僅供參考，請以實(shí)物為準(zhǔn)！

產(chǎn)品信息

數(shù)據(jù)列表	SUP/SUB75P05-08 Packaging Information
產(chǎn)品相片	TO-220-3, TO-220AB
標(biāo)準(zhǔn)包裝	500
類別	分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭	FET - 單
系列	TrenchFET®
包裝	帶卷 (TR)
FET 類型	MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能	邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)	55V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）	75A （Tc）
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）	8 毫歐 @ 30A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）	3V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)	225nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)	8500pF @ 25V
功率 - 最大值	3.7W
安裝類型	通孔
封裝/外殼	TO-220-3
供應(yīng)商器件封裝	TO-220AB
其它名稱	SUP75P05-08-E3-ND SUP75P05-08-E3TR SUP75P0508E3

手機(jī)網(wǎng)站相關(guān)詳細(xì)信息：SUP75P05-08-E3
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詢價

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• *所需產(chǎn)品：
• 型號: SUP75P05-08-E3 品牌: VISHAY SILICONIX 備注: MOSFET P-CH D-S 55V TO220-3

• *聯(lián)系人：

• *聯(lián)系電話：

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• 備注內(nèi)容：

  

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