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聲明：圖片僅供參考，請以實物為準！

產(chǎn)品信息

	典型關斷延遲時間	115 ns
	典型接通延遲時間	13 ns
	典型柵極電荷@Vgs	140 nC V @ 10
	典型輸入電容值@Vds	8500 pF V @ 25
	安裝類型	通孔
	寬度	4.7mm
	封裝類型	TO-220AB
	尺寸	10.41 x 4.7 x 9.01mm
	引腳數(shù)目	3
	最低工作溫度	-55 °C
	最大功率耗散	3700 mW
	最大柵源電壓	±20 V
	最大漏源電壓	55 V
	最大漏源電阻值	0.008 Ω
	最大連續(xù)漏極電流	75 A
	最高工作溫度	+175 °C
	每片芯片元件數(shù)目	1
	類別	功率 MOSFET
	通道模式	增強
	通道類型	P
	配置	單
	長度	10.41mm
	高度	9.01mm

手機網(wǎng)站相關詳細信息：SUP75P05-08-E
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詢價

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• *所需產(chǎn)品：
• 型號: SUP75P05-08-E 品牌: Vishay 備注: MOSFET P溝道 60V 18A TO220AB

• *聯(lián)系人：

• *聯(lián)系電話：

• *電子郵箱：

• 備注內容：

  

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