典型柵極電荷@Vgs | 185 nC V @ 10 | |
典型輸入電容值@Vds | 9800 pF V @ 100 | |
安裝類型 | 通孔 | |
寬度 | 5.15mm | |
封裝類型 | TO-247 | |
尺寸 | 15.75 x 5.15 x 20.15mm | |
引腳數(shù)目 | 3 | |
最大功率耗散 | 400 W | |
最大柵源電壓 | 25 V | |
最大漏源電壓 | 650 V | |
最大漏源電阻值 | 0.038 Ω | |
最大連續(xù)漏極電流 | 69 A | |
最高工作溫度 | +150 °C | |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 | |
類別 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增強 | |
通道類型 | N | |
長度 | 15.75mm | |
高度 | 20.15mm |