典型關(guān)斷延遲時(shí)間 | 21 ns | |
典型接通延遲時(shí)間 | 8 ns | |
典型柵極電荷@Vgs | 11 nC @ 10 V | |
典型輸入電容值@Vds | 334 pF @ 100 V | |
安裝類(lèi)型 | 通孔 | |
封裝類(lèi)型 | TO-92 | |
最大柵源電壓 | ±30 V | |
最大漏源電壓 | 525 V | |
最大漏源電阻值 | 2.6 Ω | |
最大連續(xù)漏極電流 | 2.5 A | |
最高工作溫度 | +150 °C | |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 | |
類(lèi)別 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增強(qiáng) | |
通道類(lèi)型 | N |