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STP62NS04Z [更多] | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 33V 62A TO-220 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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數(shù)據(jù)列表 | STP62NS04Z |
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產(chǎn)品相片 | TO-220-3, TO-220AB |
其它有關(guān)文件 | STP62NS04Z View All Specifications |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 50 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | MESH OVERLAY™ |
包裝 | 管件 |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 標(biāo)準(zhǔn) |
漏源極電壓 (Vdss) | 33V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時(shí)) | 62A (Tc) |
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值) | 15 毫歐 @ 30A,10V |
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) | 47nC @ 10V |
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) | 1330pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 110W |
安裝類型 | 通孔 |
封裝/外殼 | TO-220-3 |
供應(yīng)商器件封裝 | TO-220AB |
其它名稱 | 497-5896-5 STP62NS04Z-ND |